Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция и туннельный перенос заряда в сверхрешетках CaF2 : RE2+--CdF2 на Si (111)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
Email: gastev@fl.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Рассмотрено нестационарное поведение фотолюминесценции ионов Eu2+ и Sm2+ в сверхрешетках CaF2 : RE2+-CdF2 при непрерывной оптической накачке. Нестационарность фотолюминесценции обусловлена спонтанным туннелированием электронов из возбужденных состояний 4f5d в зону проводимости соседнего слоя CdF2. Составлена и численно проанализирована система уравнений баланса. Показано, что значения энергий фотоионизации состояний 4f5d могут быть получены из экспериментальных временных зависимостей изменения интенсивности фотолюминесценции в сверхрешетке с толщиной от 10 до 20 монослоев CaF2 и CdF2. Работа поддержана грантами ИНТАС (N 97-10528), Научного общества Швейцарии (N 7SUPJ062359) и Минпромнауки РФ.
- П.П. Феофилов. Опт. и спектр. 12, 531 (1962)
- B. Welber. J. Chem. Phys. 42, 4264 (1965)
- D.S. McClure. Proc. SPIE 2706, 315 (1996)
- S.A. Basun, S.P. Feofilov, A.A. Kaplyanskii, U. Happek, J. Choi, K.W. Jang, R.S. Meltzer. Phys. Rev. B61, 12 848 (2000)
- S.V. Gastev, J.C. Alvarez, V.V. Vitvinsky, N.S. Sokolov, A.Yu. Khilko. Proc. SPIE 2706, 67 (1996)
- N.S. Sokolov, S.V. Gastev, A.Yu. Khilko, S.M. Suturin, I.N. Yassievich, J.M. Langer, A. Kozanezcki. Phys. Rev. B59, R2525 (1999)
- S.M. Suturin, S.A. Basun, S.V. Gastev, J.M. Langer, R.S. Meltzer, N.S. Sokolov. Appl. Surf. Sci. 162--163, 474 (2000)
- С.В. Гастев, А.В. Крупин, Н.С. Соколов, С.М. Сутурин. Материалы совещ. "Нанофотоника-2000". Нижний Новгород (2000). С. 266
- A. Izumi, Y. Hirai, K. Tsutsui, N.S. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 67, 2792 (1995)
- A.Yu. Khilko, S.V. Gastev, R.N. Kyutt, M.V. Zamoryanskaya, N.S. Sokolov. Appl. Surf. Sci. 123--124, 595 (1998)
- Р.Н. Кютт, А.Ю. Хилько, Н.С. Соколов. ФТТ 40, 1563 (1998)
- D.M. Boye, Y. Sun, R.S. Meltzer, S.P. Feofilov, N.S. Sokolov, A. Khilko, J.C. Alvarez. J. Lumin. 72--74, 290 (1997)
- S.V. Gastev, A.Yu. Khilko, N.S. Sokolov, S.M. Suturin, R.S. Meltzer. Proc. of 6th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology". St. Petersburg, Russia (1998). P. 16
- In: Crystals with the fluorite structure / Ed. W. Hayes. Clarendon Press, Oxford (1974). Ch. 1
- A.M. Stoneham. Theory of defects in solids. Oxford (1975). Ch. 2
- J.F. Owen, P.B. Dorain, T. Kobayasi. J. Appl. Phys. 52, 3, 1216 (1981)
- J.K. Lawson, S.A. Payne. J. Opt. Soc. Am. B8, 1404 (1991)
- C. Pedrini, F. Rogemond, D.S. McClure. J. Appl. Phys. 59, 1196 (1986)
- N.S. Sokolov, S.V. Gastev, A.Yu. Khilko, R.N. Kyutt, L.M. Sorokin, S.M. Suturin, D.B. Vcherashnii, P.D. Brown, C.J. Humphryes. Proc. of 10th Conf. on Semiconducting and Insultaing Materials (SIMC-X). Berkeley, California (1998). P. 305
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
