Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция и туннельный перенос заряда в сверхрешетках CaF2 : RE2+--CdF2 на Si (111)
Гастев С.В.1, Иванова С.Э.2, Соколов Н.С.1, Сутурин С.М.1, Лангер Е.М.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
Email: gastev@fl.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Рассмотрено нестационарное поведение фотолюминесценции ионов Eu2+ и Sm2+ в сверхрешетках CaF2 : RE2+--CdF2 при непрерывной оптической накачке. Нестационарность фотолюминесценции обусловлена спонтанным туннелированием электронов из возбужденных состояний 4f5d в зону проводимости соседнего слоя CdF2. Составлена и численно проанализирована система уравнений баланса. Показано, что значения энергий фотоионизации состояний 4f5d могут быть получены из экспериментальных временных зависимостей изменения интенсивности фотолюминесценции в сверхрешетке с толщиной от 10 до 20 монослоев CaF2 и CdF2. Работа поддержана грантами ИНТАС (N 97-10528), Научного общества Швейцарии (N 7SUPJ062359) и Минпромнауки РФ.
  1. П.П. Феофилов. Опт. и спектр. 12, 531 (1962)
  2. B. Welber. J. Chem. Phys. 42, 4264 (1965)
  3. D.S. McClure. Proc. SPIE 2706, 315 (1996)
  4. S.A. Basun, S.P. Feofilov, A.A. Kaplyanskii, U. Happek, J. Choi, K.W. Jang, R.S. Meltzer. Phys. Rev. B61, 12 848 (2000)
  5. S.V. Gastev, J.C. Alvarez, V.V. Vitvinsky, N.S. Sokolov, A.Yu. Khilko. Proc. SPIE 2706, 67 (1996)
  6. N.S. Sokolov, S.V. Gastev, A.Yu. Khilko, S.M. Suturin, I.N. Yassievich, J.M. Langer, A. Kozanezcki. Phys. Rev. B59, R2525 (1999)
  7. S.M. Suturin, S.A. Basun, S.V. Gastev, J.M. Langer, R.S. Meltzer, N.S. Sokolov. Appl. Surf. Sci. 162--163, 474 (2000)
  8. С.В. Гастев, А.В. Крупин, Н.С. Соколов, С.М. Сутурин. Материалы совещ. "Нанофотоника-2000". Нижний Новгород (2000). С. 266
  9. A. Izumi, Y. Hirai, K. Tsutsui, N.S. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 67, 2792 (1995)
  10. A.Yu. Khilko, S.V. Gastev, R.N. Kyutt, M.V. Zamoryanskaya, N.S. Sokolov. Appl. Surf. Sci. 123--124, 595 (1998)
  11. Р.Н. Кютт, А.Ю. Хилько, Н.С. Соколов. ФТТ 40, 1563 (1998)
  12. D.M. Boye, Y. Sun, R.S. Meltzer, S.P. Feofilov, N.S. Sokolov, A. Khilko, J.C. Alvarez. J. Lumin. 72--74, 290 (1997)
  13. S.V. Gastev, A.Yu. Khilko, N.S. Sokolov, S.M. Suturin, R.S. Meltzer. Proc. of 6th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology". St. Petersburg, Russia (1998). P. 16
  14. In: Crystals with the fluorite structure / Ed. W. Hayes. Clarendon Press, Oxford (1974). Ch. 1
  15. A.M. Stoneham. Theory of defects in solids. Oxford (1975). Ch. 2
  16. J.F. Owen, P.B. Dorain, T. Kobayasi. J. Appl. Phys. 52, 3, 1216 (1981)
  17. J.K. Lawson, S.A. Payne. J. Opt. Soc. Am. B8, 1404 (1991)
  18. C. Pedrini, F. Rogemond, D.S. McClure. J. Appl. Phys. 59, 1196 (1986)
  19. N.S. Sokolov, S.V. Gastev, A.Yu. Khilko, R.N. Kyutt, L.M. Sorokin, S.M. Suturin, D.B. Vcherashnii, P.D. Brown, C.J. Humphryes. Proc. of 10th Conf. on Semiconducting and Insultaing Materials (SIMC-X). Berkeley, California (1998). P. 305

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.