Издателям
Вышедшие номера
К вопросу о роли вакансий в образовании пор при анодизации SiC
Мынбаева М.Г.1, Бауман Д.А.1, Мынбаев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Проведен анализ экспериментальных данных по получению стехиометрического нанопористого карбида кремния. На основании предположения о диффузионно-вакансионном механизме формирования нанопор выполнен расчет, результаты которого подтверждают, что формирование пор со стабильным радиусом в десятки нанометров в SiC может быть обусловлено диффузией и кластеризацией вакансий. Обсуждаются результаты экспериментов, указывающие на возможность установления связи между предложенным механизмом формирования нанопористого карбида кремния и известной из литературы моделью формирования пористого SiC с волоконной структурой. Такая связь может быть установлена в предположении первичности образования нанопор и трансформации нанопористой структуры в волоконную путем инициирования растворения материала в электролите. Работа выполнена при поддержке гранта NICOP N 00014-01-1-0828.
  1. A.O. Konstantinov, C.I. Harris, E. Janzen. Appl. Phys. Lett. 65, 21, 2699 (1994)
  2. J. Van de Lagemaat, M. Plakman, D. Vanmaekelbergh, J.J. Kelly. Appl. Phys. Lett. 69, 15, 2246 (1996)
  3. S. Zangooie, P.O.A. Persson, J.N. Hilfiker, L. Hultman, H.J. Arwin. J. Appl. Phys. 87, 12, 8497 (2000)
  4. M. Mynbaeva. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 742, 303 (2003)
  5. S. Bai, Yue Ke, Y. Shishkin, O. Shigiltchoff, R.P. Devaty, W.J. Choyke, D. Strauch, B. Stojetz, B. Dorner, D. Hobgood, J. Serrano, M. Cardona, H. Nagasawa, T. Kimoto, L.M. Porter. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 742, 151 (2003)
  6. H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng. R 39, 4, 93 (2002)
  7. S.-F. Chuang, S.D. Collins, R.L. Smith. Appl. Phys. Lett. 55, 15, 1540 (1989)
  8. S.E. Saddow, M. Mynbaeva, M. MacMillan. In: Silicon Carbide: Materials, Devices and Applications / Eds Z. Feng, J. Zhao. Vol. 20. Ser. Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices. Taylor and Francis, N. Y.-London (2003). Ch. 8. P. 321--385
  9. S.E. Saddov, M. Mynbaeva, M.C.D. Smith, A.N. Smirnov, V. Dmitriev. Appl. Surf. Sci. 184, 1--4, 72 (2001)
  10. J. Bai, G. Dhanaraj, P. Gouma, M. Dudley, M. Mynbaeva. Mater. Sci. Forum 457--460, 1479 (2004)
  11. П.Г. Черемской, В.В. Слезов, В.И. Бетехтин. Поры в твердом теле. Энергоиздат, М. (1990). 376 с
  12. M. Christophersen, S. Langa, J. Carstensen, I.M. Tiginyanu, H. Foll. Phys. Stat. Sol. (a) 197, 1, 197 (2003)
  13. H. Foll, J. Carstensen, M. Christophersen, S. Langa, I.M. Tiginyanu. Phys. Stat. Sol. (a) 197, 1, 61 (2003)
  14. J.-N. Chazalviel, R.B. Wehrspohn, F. Ozanam. Mater. Sci. Eng. B 69--70, 1, 1 (2000)
  15. М.Е. Компан. ФТТ 45, 5, 902 (2003)
  16. В.П. Бондаренко, А.М. Дорофеев, Л.В. Табулина. Поверхность 10, 64 (1985)
  17. J.W. Corbett, D.I. Shereshevskii, I.V. Verner. Phys. Stat. Sol. (a) 147, 1, 81 (1995)
  18. И.Г. Маргвелашвили, З.К. Саралидзе. Поверхность 8, 107 (1988)
  19. B.E. Gatewood. Thermal Stresses. McGraw--Hill, N. Y. (1957). 232 p
  20. Проблемы теплообмена. Сб. статей / Под ред. П.Л. Кириллова. Атомиздат, М. (1967)
  21. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / Eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. John Wiley and Sons, N. Y.--Chichester--Weinheim--Brisbane--Singapore--Toronto (2001). P. 95
  22. С.А. Кукушкин. Успехи механики 2, 2, 21 (2003)
  23. J.P. Stark. Phys. Rev. B 21, 2, 556 (1980)
  24. А.И. Гирка, Е.Н. Мохов. ФТТ 37, 11, 3374 (1995)
  25. Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Изд-во ЛИЯФ, Л. (1980). С. 136
  26. K. Sangval. Etching of Crystals. North-Holland, Amsterdam (1987). [К. Сангвал. Травление кристаллов. Мир, М. (1990). 496 c.]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.