Издателям
Вышедшие номера
Формирование кластеров и магнитооптический эффект Керра в арсениде галлия, легированном имплантацией ионов марганца
Данилов Ю.А.1, Круглов А.В.2, Behar M.3, dos Santos M.C.3, Pereira L.G.3, Schmidt J.E.3
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Insituto de Fi sica --- Universidade Federal do Rio Grande do Sul,-970 Porto Alegre, RS, Brazil
Email: danilov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 5 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Методами атомно-силовой микроскопии и магнитооптического эффекта Керра при комнатной температуре исследованы морфология поверхности и магнитные свойства GaAs, облученного ионами марганца. Показано, что ферромагнетизм имеет место в приповерхностных слоях имплантированного полупроводника, подвергнутого термическому отжигу в диапазоне 715-750oC. Магнитные свойства слоев связаны с эволюцией системы кластеров субмикронных размеров в GaAs : Mn. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-16777), FAPERGS (Fundacao de Amparo `a Perquisa do Estado do Rio Grande do Sul, Brasil, грант N 00/60065.9) и программы РАН "Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника".
  1. J. Gregg, W. Allen, N. Viart, R. Kirschman, C. Sirisathitkul, J.-P. Schille, M. Gester, S. Thompson, P. Sparks, V. Da Costa, K. Ounadjela, M. Skvarla. J. Magn. Magn. Mater. 175, 1 (1997)
  2. D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom. Semicond. Sci. Technol. 17, 275 (2002)
  3. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye. Appl. Phys. Lett. 69, 3, 363 (1996)
  4. H. Ohno. Science 281, 5379, 951 (1998)
  5. А.Ф. Хохлов, П.В. Павлов. Письма в ЖЭТФ 24, 4, 238 (1976)
  6. J. Shi, J.M. Kikkawa, R. Proksch, T. Schaffer, D.D. Awschalom, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff. Nature 337, 707 (1995)
  7. M. Tanaka. Mat. Sci. Eng. B 31, 117 (1995)
  8. K. Ando, A. Chiba, H. Tanoue, F. Kirino, M. Tanaka. IEEE Trans. Magnetics 35, 5, 3463 (1999)
  9. Г.С. Кринчик. Физика магнитных явлений. Изд-во МГУ, М. (1985)
  10. M.C. dos Sandos, J. Geshev, J.E. Schmidt, S.R. Teixeira, L.G. Pereira. Phys. Rev. B 61, 2, 1311 (2000)
  11. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids. Pergamon, Oxford (1985). Vol. 1
  12. C. Licoppe, Y.I. Nissim, C. Meriadec, P. Henoc. Appl. Phys. Lett. 50, 23, 1648 (1987)
  13. С.К. Кузнецова. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 11, 5, 950 (1975)
  14. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972)
  15. Y. Sasaki, T. Sato, K. Matsushita, T. Hariu, Y. Shibata. J. Appl. Phys. 57, 4, 1109 (1985)
  16. M. Moreno, A. Trampert, B. Jenichen, L. Daweritz, K.H. Ploog. J. Appl. Phys. 92, 8, 4672 (2002)
  17. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.