Вышедшие номера
Оптические свойства полупроводников в условиях действия мощной накачки в области M-полосы и двухфотонного зондирования биэкситонного состояния
Хаджи П.И.1,2, Коровай А.В.1,2, Ткаченко Д.В.1,2
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова
2Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Email: tdsu@tirastel.md
Поступила в редакцию: 15 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Исследовано поведение диэлектрической восприимчивости полупроводника при действии мощного лазерного импульса в области M-полосы излучения двухфотонного зондирования биэкситонного уровня. Показано, что имеет место ярко выраженный эффект Аутлера-Таунса на двухфотонном переходе. Положение пиков поглощения существенно определяется амплитудой и частотой поля накачки.