Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Тараканов Е.А.1, Шаплыгина Т.А.1, Афанасьев В.П.2, Панкрашкин А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: pronin@inprof.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Исследовались особенности электрических свойств текстурированных сегнетоэлектрических пленок ЦТС толщиной 0.7-1 mum, полученных ВЧ-магнетронным распылением мишени состава PbZr0.54Ti0.46O3, содержащей дополнительно 10 mol.% оксида свинца. Показано, что такие пленки характеризовались сочетанием самополяризованного состояния и миграционной поляризации. Совокупность полученных результатов позволяет считать, что пленки обладали n-типом проводимости. С помощью метода модуляции лазерного излучения обнаружено, что распределение поляризации по толщине пленки носило неоднородный характер, причем основная часть полярного состояния была локализована вблизи нижнего интерфейса тонкопленочного сегнетоэлектрического конденсатора. Механизм появления самополяризации связывается с зарядкой нижнего интерфейса структуры электронами в процессе охлаждения после высокотемпературной термообработки пленки ЦТС и с поляризацией этими зарядами объема пленки. Предполагается, что такой механизм самополяризации сегнетоэлектрических пленок носит универсальный характер. Работа поддержана грантом Министерства образования РФ N EOO-3.4-350.
- D.L. Polla. Microelectron. Eng. 29, 51 (1995)
- R.W. Whatmore. Ferroelectrics 225, 179 (1999)
- G. Gerlach, G. Suchaneck, R. Kohler, T. Sandner. Ferroelectrics 230, 109 (1999)
- D.F. Jenkins, W.W. Clegg, G. Velu, E. Cattan, D. Remiens. Ferroelectrics 224, 259 (1999)
- N.F. Foster. J. Appl. Phys. 40, 420 (1969)
- А.В. Гориш, В.П. Дудкевич, М.Ф. Куприянов, А.Е. Панич, А.В. Турик. Пьезоэлектрическое приборостроение. Т. 1: Физика сегнетоэлектрической керамики. Издательское предприятие редакции фурнала << Радиотехника>>, М. (1999). 368 с
- M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. 26, 550 (1987)
- R. Kohler, N. Neumann, N. Heb, R. Bruchhaus, W. Wersing, M. Simon. Ferroelectrics 201, 83 (1997)
- G. Suchaneck, R. Kohler, P. Padmini, T. Sandner, J. Frey, G. Gerlach. Surf. Coatings Technol. 116, 1238 (1999)
- M. Schreiter, R. Bruchhaus, D. Pitzer, W. Wersing. Proc. Eleventh IEEE Int. Symp. on Applications of Ferroelectrics (ISAF XI' 98). Montreux, Switzerland (august 24--27 1998). P. 181
- R. Bruchhaus, D. Pitzer, M. Schreiter,W. Wersing. J. Electrocer. 3, 2, 151 (1999)
- A.L. Kholkin, K.G. Brooks, D.V. Taylor, S. Hiboux, N. Setter. Integrated Ferroelectrics 22, 525 (1998)
- M. Kobune, H. Ishito, A. Mineshige, S. Fujii, R. Takayama, A. Tomozawa. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 5154 (1998)
- V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov, E.Yu. Kaptelov. J. Graul. J. Phys.: Cond. Matter 13, 39, 8755 (2001)
- D. Dimos, W.L. Warren, M.B. Sinclair, B.A. Tuttle, R.W. Schwartz. J. Appl. Phys. 76, 7, 4305 (1994)
- G.E. Pike, W.L. Warren, D. Dimos, B.A. Tuttle, R. Ramesh, J. Lee, V.G. Keramidas, J.T. Evans. Appl. Phys. Lett. 66, 4, 484 (1995)
- W.L. Warren, B.A. Tuttle, D. Dimos, G.E. Pike, H.N. Al-Shareef, R. Ramesh, J.T. Evans. Jpn. J. Appl. Phys. 35 (Pt 1), 2, 1521 (1996)
- E.G. Lee, J.K. Lee, J.-Y. Kim, J.G. Lee, H.M. Jang, S.J. Kim. J. Mater. Sci. Lett. 18, 2025 (1999)
- В.П. Афанасьев, С.В. Богачев, Н.В. Зайцева, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.А. Петров, И.П. Пронин. ЖТФ 66, 6, 160 (1996)
- S.B. Lang. Ferroelectrics 106, 269 (1990)
- S.B. Lang. Ferroelectrics 118, 343 (1991)
- G. Suchaneck, Th. Sandner, R. Kohler, P. Padmini, G. Gerlach, V.P. Afanasjev, E.A. Tarakanov. Proc. Eleventh IEEE Int. Symp. on Applications of Ferroelectrics (ISAF XI' 98). Montreux, Switzerland (august 24--27 1998). P. 187
- В.П. Афанасьев, Г.Н. Мосина, А.А. Петров, И.П. Пронин, Л.М. Сорокин, Е.А. Тараканов. Письма в ЖТФ 27, 11, 56 (2001)
- Zh. Song, W. Ren, L. Zhang, Ch. Lin. Thin Solid Films 353, 25 (1999)
- K. Yamakawa, O. Arisumi, K. Okuwada, K. Tsutsumi, T. Katata. Proc. Eleventh IEEE Int. Symp. on Applications of Ferroelectrics (ISAF XI' 98). Montreux, Switzerland (august 24-27 1998). P. 159
- Zh.-J. Wang, R. Maeda, K. Kikuchi. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Pt 1), 9B, 5242 (1999)
- K. Okazaki. Ceramic Engineering for Dielectrics. Tokyo (1969)
- Yu Xu. Ferroelectric materials and their applications. N. Holland, Amsterdam--London--N. Y.--Tokyo (1991). 391 p
- П.В. Ковтуненко. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. Высш. шк., М. (1993). 352 с
- О.Ф. Луцкая, Е.А. Когновицкая. Неорган. материалы. 35, 3, 348 (1999)
- T. Kala. Phase Trans. 36, 65 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
