Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура и моделирование диэлектрической функции эпитаксиальных пленок beta-FeSi2 на Si(111)
Галкин Н.Г.1, Маслов А.М.1, Таланов А.О.2
1Дальневосточный государственный технический университет, Владивосток, Россия
2Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Email: galkin@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Оптические функции тонких эпитаксиальных пленок дисилицида железа (beta-FeSi2) рассчитаны из спектров отражения по интегральным соотношениям Крамерса--Кронига (КК) в диапазоне энергий 0.1-6.2 eV. Сопоставление расчетов по спектрам пропускания и отражения и по спектрам отражения из интегральных соотношений КК показало, что фундаментальный переход с энергией 0.87±0.01 eV является прямым. Построена эмпирическая модель диэлектрической функции для эпитаксиальных пленок beta-FeSi2, в которой в аналитическом виде описаны особенности зонной энергетической структуры пленок. Показано, что максимальный вклад в диэлектрическую функцию и спектр отражения в диапазоне энергий 0.9-1.2 eV вносит второй гармонический осциллятор 2D M0-типа с энергией 0.977 eV, который коррелирует со вторым прямым межзонным переходом в зонной энергетической структуре beta-FeSi2. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фанда фундаментальных исследований (грант N 00-02-81000Бел2000_a) и программы Министерства просвещения Российской Федерации "Фундаментальные исследования в области электроники и радиотехники" (грант КГ 98.7).
  1. M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys. 58, 6, 2 696 (1985),
  2. K. Radermacher, R. Carius, S. Mantl. Nuclear Instr. Meth. Phys. Res. B84, 1, 163 (1994)
  3. N.E. Christensen. Phys. Rev. B42, 9, 7 148 (1990)
  4. L. Miglio, G. Malegori. Phys. Rev. B52, 3, 1 448 (1995)
  5. A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, W. Henrion, M. Rebien, P. Stauss, H. Lange, G. Behr. J. Appl. Phys. 83, 8, 4 410 (1998)
  6. X. Chen, L. Wang, Q. Chen, R. Ni, C. Lin. Appl. Phys. Lett. 68, 6, 2 858 (1996)
  7. N.G. Galkin, A.M. Maslov, A.V. Konchenko. Thin Solid Films 311, 1, 230 (1997)
  8. S. Adachi. Phys. Rev. B38, 12, 12 345 (1988)
  9. S. Adachi, K. Sato. Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3 907 (1992)
  10. R.A. Smith. Semiconductors. Cambridge University, Cambridge (1978). 480 p
  11. C.C. Kim, J.W. Garland, H. Abad, P.M. Raccah. Phys. Rev. B45, 16, 11 749 (1992)
  12. N. Lieske, R. Hezel. Phys. Stat. Sol. ( b) 92, 1, 159 (1979)
  13. X. Wallart, H.S. Zeng, J.P. Nys, G. Dalmai. Appl. Surf. Sci. 56--58, 2, 472 (1992)
  14. Н.Г. Галкин, А.М. Маслов, А.В. Конченко, И.Г. Каверина, А.С. Гуральник. Оптика и спектроскопия 85, 4, 658 (1998)
  15. N. Onda, H. Sirringhaus, S. Goncalves-Conto, C. Schwarz, S. Zehnder, H. von Kanel. Appl. Surf. Sci. 73, 1, 124 (1993)
  16. S.J. Clark, H.M. Al-Allak, S. Brand, R.A. Abram. Phys. Rev. B58, 14, 10 389 (1998)
  17. R.K. Ahrenkiek. J. Opt. Soc. Amer. 61, 2, 1 851 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.