Издателям
Вышедшие номера
Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si / GexSi1-x / Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Кеслер В.Г.1, Логвинский Л.М.1, Машанов В.И.1, Пчеляков О.П.1, Ульянов В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kesler@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 30 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Проведено исследование распределения компонентов по толщине гетероструктур GeSi, выращенных на низкотемпературном кремнии (НТSi, Tgr~350-400oC) и пористом кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии. С помощью Оже-профилирования обнаружена повышенная концентрация Ge на границе раздела GexSi1-x/НТSi, которая уменьшалась на всех образцах, прошедших отжиг. Рассчитанная величина энергии активации диффузии Ge в этом случае составила Ea~1.6 eV. Кроме того, методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии зафиксирована повышенная концентрация Ge на поверхности защитного слоя Si. Рассматриваются возможные причины обогащения поверхности слоя кремния и пограничного слоя пленки GexSi1-x германием, обсуждается взаимосвязь между распределением компонентов и структурными особенностями пластически релаксированных слоев. Работа выполнялась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 00-02-17638, 00-02-17461 и 00-15-96806).
  1. А.К. Гутаковский, С.И. Романов, О.П. Пчеляков, В.И. Машанов, Л.В. Соколов, И.В. Ларичкин. Изв. РАН. Сер. физ. 168, 2, 255 (1998)
  2. H. Chen, L.W. Guo, Q. Cui, Q. Hu, Q. Huang, J.M. Zhou. J. Appl. Phys. 79, 2, 1167 (1996)
  3. J.H. Li, C.S. Peng, Y. Wu, D.Y. Dai, J.M. Zhou, Z.H. Mai. Appl. Phys. Lett. 71, 21, 3132 (1997)
  4. J.H. Li, C.S. Peng, Z.H. Mai, J.M. Zhou, Q. Huang, D.Y. Dai. J. Appl. Phys. 86, 3, 1292 (1999)
  5. Yu.B. Bolkhovityanov, A.K. Gutakovskii, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko, L.V. Sokolov. Thin Solid Films 392, 98 (2001)
  6. O. Millo, A. Many, Y. Goldstein. J. Vac. Sci. Technol. A7(4), Jul/Aug, 2688 (1989)
  7. K. Nakagawa, M. Miyao. J. Appl. Phys. 69, 3058 (1991)
  8. S. Fukatsu, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki, R. Ito. Appl. Phys. Lett. 59, 17, 2103 (1991)
  9. Z. Lu, J.-M. Baribeau, D. Lockwood. J. Appl. Phys. 76, 6, 3911 (1994)
  10. S. Zaima, Y. Yasuda. J. Cryst. Growth 162, 1--2, 105 (1996)
  11. D.J. Godbey, J.V. Lill, J. Deppe, K.D. Hobart. Appl. Phys. Lett. 65, 6, 711 (1994)
  12. D.J. Godbey, M.G. Ancona. Surf. Sci. 395, 1, 60 (1998)
  13. G.G. Gernigan, P.E. Tompson, C.L. Silvestre. Appl. Phys. Lett. 69, 13, 1894 (1996)
  14. Yun Li, G.G. Hembree, J.A. Venables. Appl. Phys. Lett. 67, 2, 276 (1995)
  15. S. Hofmann. Rep. Prog. Phys. 61, 827 (1998)
  16. A. Zalar, S. Hofmann, P. Panjan. Vacuum 48, 625 (1997)
  17. J.C. Phillips, J.A. Van Vechten. Phys. Rev. Lett. 30, 6, 220 (1973)
  18. M.C. Joncour, M.N. Carasse, K. Burgeat. J. Appl. Phys. 58, 9, 1253 (1985)
  19. Н.В. Номероцкий, О.П. Пчеляков, Е.М. Труханов. Поверхность. Физика, химия, механика 2, 57 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.