Вышедшие номера
Влияние межатомных расстояний на магнитное упорядочение соединений RMnSi (R = La, Y, Sm, Gd)
Никитин С.А.1, Иванова Т.И.1, Овченкова Ю.А.1, Масленникова М.В.1, Бурханов Г.С.2, Чистяков О.Д.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: ivanova@rem.phys.msu.su
Поступила в редакцию: 15 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Выявлена зависимость характера магнитного упорядочения соединений RMnSi от расстояния dMn-Mn между атомами марганца внутри магнитных слоев, расположенных в плоскостях, перпендикулярных оси c. С этой целью были исследованы соединения SmMnSi и GdMnSi, для которых эти расстояния находятся вблизи критического значения dMn-Mn, разделяющего область ферромагнитного и антиферромагнитного упорядочения соединений RMnSi. Введение лантана и иттрия (которые соответственно увеличивают и уменьшают размеры кристаллической ячейки) в редкоземельную подрешетку приводит к появлению магнитных фазовых переходов в этих соединениях. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-17862) и Федеральной программой поддержки ведущих научных школ (грант N 00-15-96695).