Вышедшие номера
Электрические, оптические и фотоэлектрические свойства легированных индием монокристаллов сульфида кадмия, облученных электронами
Давидюк Г.Е.1, Оксюта В.А.1, Манжара В.С.2
1Волынский государственный университет, Луцк, Украина
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: viktor@lab.univer.lutsk.ua
Поступила в редакцию: 26 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Исследовалось влияние облучения быстрыми электронами с энергией E=1.2 MeV и дозой Phi=2· 1017 cm-2 на электрические, оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов CdS, легированных In. На основе анализа экспериментальных результатов делаются выводы о распаде при облучении пересыщенного раствора In в CdS, при этом атомы индия, находящиеся в узлах катионной подрешетки, выталкиваются междоузельными атомами кадмия. В облученных образцах CdS : In обнаружены новые центры медленной рекомбинации с положением максимумов оптического гашения фотопроводимости в области lambdaM1=0.75 и lambdaM2=1.03 mum. Предполагается, что за новые центры рекомбинации ответственны комплексы, в состав которых входят вакансии кадмия и атомы индия.
  1. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наукова думка, Киев (1987). С. 392
  2. I. Schneider, W.C. Holten, T.L. Estle, A. Rauber. Phys. Lett. 5, 312 (1963)
  3. Физика и химия соединений AIIBVI / Под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970. С. 186, 199
  4. B.A. Kulp, R.H. Kelley. J. Appl. Phys. 31, 6, 1057 (1960)
  5. И.Б. Ермолович, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. ФТП 2, 11, 1639 (1968)
  6. А.М. Гурвич, М.А. Ильина. В сб.: Проблемы физики соединений AIIBVI. Вильнюс (1972). Т. 2. С. 325
  7. А.М. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. Высш. шк. М. (1982). С. 182
  8. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. Радио, М. (1981). С. 185
  9. Свойства неорганических соединений. Справочник / Под ред. А.И. Ефимова и др. Химия, Л. (1983). С. 15
  10. N.E. Korsunskaya, J.V. Markevich, T.V. Torchinskaya, M.K. Seinkman. Phys. Stat. Sol. (a) 60, 2, 565 (1980)
  11. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдулин, Ю.В. Торелкинский. УФН 170, 143 (2000)
  12. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, В.И. Куц, В.Т. Мак. ФТП 10, 4, 778 (1976)
  13. Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, В.Т. Мак, В.В. Божко. Фотоэлектроника 3, 7 (1990)
  14. B.A. Kulp. Phys. Rev. 125, 6, 1865 (1962)
  15. И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, М.К. Шейнкман. ФТП 9, 5, 1620 (1975)
  16. Н.К. Морозова, А.В. Морозов, И.А. Каретников, Л.Д. Назарова, Н.Д. Данилевич. ФТП 28, 10, 1699 (1994)
  17. Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, В.В. Булатецкий. ФТП 31, 4, 390 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.