Издателям
Вышедшие номера
Особенности сверхъяркой фотолюминесценции ионов Er3+ в псевдоаморфных тонких пленках GaN
Андреев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

В псевдоаморфных пленках GaN, допированных Er и кодопированных кислородом, обнаружена высокоинтенсивная фотолюминесценция ионов Er3+ на длине волны lambda=1510-1535 nm при облучении азотным лазером (lambda=327 nm). Поскольку на этой длине волны ионы Er3+ не имеют резонансного уровня поглощения, возбуждение ионов эрбия происходит только через передачу энергии межзонной и внутризонной рекомбинации. Принципиальной особенностью спектра ионов Er3+ является его уширение за счет значительного вклада "горячих" переходов со штарковских компонент мультиплета 4I13/2. При температуре жидкого азота этот вклад является доминирующим. При 77 K в области 1550--1570 nm наблюдалась неустойчивость спектра, проявляющаяся в виде оптического шума. Температурное гашение фотолюминесценции практически отсутствовало. Высокая интенсивность фотолюминесценции Er3+ была достигнута в результате подбора режима многоступенчатого (кумулятивного) отжига.
  1. Y.H. Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys. 70, 6, 3223 (1991)
  2. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. MRS Bulletin 25 (1998)
  3. A. Reittinger, J. Stimmer, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett. 70, 18, 2431 (1997)
  4. W.-X. Ni, K.B. Joelsson, C.-X. Du, I.A. Buyanova, Z. Pozina, W.M. Chen, G.V. Hausson, B. Monemar. Appl. Phys. Lett. 70, 25, 3388 (1997)
  5. D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Markus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett. 61, 18, 2181 (1992)
  6. A. Terrasi, G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, F.D. Acapito, S. Mobilio. Appl. Phys. Lett. 70, 13, 1712 (1997)
  7. M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.M. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. Appl. Phys. Lett. 67, 24, 3599 (1995)
  8. L. Kou, D.C. Hall, H. Wu. Appl. Phys. Lett. 72, 26, 411 (1998)
  9. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett. 43, 10, 943 (1983)
  10. A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1, 1 (1997)
  11. P.N. Favennec, H.L. Harldon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gaunenau. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 301, 181 (1993)
  12. S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode (GaN based Light Emittors and Lasers). Spinger, Berlin Heidelberg (1997). P. 129
  13. R.G. Wilson, R.N. Schwartz, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, N. Newman, M. Rubin, T. Fu, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett. 65, 8, 992 (1994)
  14. D.M. Hansen, R. Zhang, N.R. Perkins, S. Satvi, L. Zhang, K.L. Bray, T.F. Kuech. Appl. Phys. Lett. 72, 10, 1244 (1998)
  15. А.А. Андреев, В.Б. Воронков, В.Г. Голубев, А.В. Медведев, А.Б. Певцов. ФТП 33, 1, 106 (1999)
  16. S.B. Aldabergenova, M. Albrecht, A.A. Andreev, C. Inglefield, J. Viner, V.Yu. Davydov, P.C. Taylor, H.P. Strunk. J. Non-Cryst. Solid 283, 1--3, 173 (2001)
  17. V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, J.N. Goncharuk, A.M. Tsaregorodtsev, A.N. Smirnov, A.O. Lebedev, V.M. Botnaruk, Yu.V. Zhilyaev, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, O.K. Semchinova. J. Cryst. Growth. 189/190, 656 (1998)
  18. Myo Thaik, U. Hommerich, R.N. Schwartz, R.G. Wilson, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett. 71, 18, 2641 (1997)
  19. А.А. Андреев, В.Г. Голубев, В.Ф. Мастеров, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, С.Б. Алдабергенова, П.К. Тейлор. Письма в ЖЭТФ 70, 12, 780 (1999)
  20. А.А. Каминский. Лазерные кристаллы. Наука, М. (1975). С. 108
  21. V.T. Gabrieljan, A.A. Kaminskii, L. Li. Phys. Stat. Sol. (a) 3, k37 (1970)
  22. J.B. Gruber, J.R. Henderson, M. Muramoto, K. Rajnak, J.G. Conway. J. Chem. Phys. 45, 477 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.