Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Флуктуационная модель высокочастотной прыжковой электропроводности умеренно компенсированных полупроводников с водородоподобными примесями

Поклонский Н.А.¹, Вырко С.А.¹, Забродский А.Г.²

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: poklonski@bsu.by

Поступила в редакцию: 20 октября 2004 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

PDF версия

Разработана модель, согласно которой прыжок электрона (или дырки) между двумя водородоподобными донорами (или акцепторами) происходит лишь при выравнивании их энергетических уровней за счет тепловых и/или электростатических флуктуаций в легированном кристалле. Считается, что основной вклад в действительную часть высокочастотной прыжковой электропроводности вносят пары акцепторов, время туннелирования дырки внутри которых равно половине периода внешнего электрического поля и совпадает с ним по фазе. Тогда мнимая и действительная части прыжковой электропроводности примерно равны. Приведено сравнение расчетов по предложенной модели с экспериментальными данными для p-Ge : Ga с промежуточной степенью компенсации основной легирующей примеси. Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант N Ф01-199), Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 04-02-16587) и грантом Президента Российской федерации (НШ-2223.2003.02).

Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). 664 с
J.C. Dyre, T.B. Schr der. Rev. Mod. Phys. 72, 3, 873 (2000)
И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. МГУ, М. (1984). 192 с
J.C. Dyre, T.B. Schr der. Phys. Stat. Sol. (b) 230, 1, 5 (2002)
M. Pollak. Phys. Stat. Sol. (b) 230, 1, 295 (2002)
С.Д. Барановский, А.А. Узаков. ФТП 15, 5, 931 (1981)
B.V. Klimkovich, N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh. Phys. Stat. Sol. (b) 134, 2, 763 (1986)
Б.В. Климкович, Н.А. Поклонский, В.Ф. Стельмах. ФТП 19, 5, 848 (1985)
T. Holstein. Ann. Phys. 281, 1--2, 706 (2000)
R.R. Heikes. In Thermoelectricity: science and engineering. Interscience Publishers, N. Y. (1961). Ch. 4
Поляроны / Под ред. Ю.А. Фирсова. Наука, М. (1975). 424 с
П. Нагельс. В сб.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. Мир, М. (1982). С. 177
А.Л. Бурин, Л.А. Максимов. ЖЭТФ 95, 4, 1345 (1989)
В.И. Гольданский, Л.И. Трахтенберг, В.Н. Флеров. Туннельные явления в химической физике. Наука, М. (1986). 296 с
Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский. ФТТ 42, 3, 432 (2000)
Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ 43, 12, 2126 (2001)
H. Fritzsche, M. Cuevas. Proc. Int. Conf. on Semicond. Phys. Pub. Czech. Acad. Sci., Prague (1961). P. 222
B. Sandow, O. Bleibaum, W. Schirmacher. Phys. Stat. Sol. (c) 1, 1, 92 (2004)
A. Miller, E. Abrahams. Phys. Rev. 120, 3, 745 (1960)
S. Titeica. Ann. Phys. (Leipzig) 22, 2, 129 (1935)
П.С. Зырянов, М.И. Клингер. Квантовая теория явлений электронного переноса в кристаллических полупроводниках. Наука, М. (1976). 480 с
П. Уиттл. Вероятность. Наука, М. (1982). 288 с
D.K. Pickard. J. Appl. Probability 19, 2, 444 (1982)
K. Хир. Статистическая механика, кинетическая теория и стохастические процессы. Мир, М. (1976). 600 с
М. Кендалл, П. Моран. Геометрические вероятности. Наука, М. (1972). 192 с
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП 33, 4, 415 (1999)
Д.Р. Кокс, У.Л. Смит. Теория очередей. Мир, М. (1966). 218 с
Е.О. Кейн. В сб.: Туннельные явления в твердых телах / Под ред. Э. Бурштейна, С. Лундквиста. Мир, М. (1973). С. 9
Л.А. Блюменфельд, А.К. Кукушкин. Курс квантовой химии и строения молекул. Изд-во МГУ, М. (1986). 136 с
А.С. Давыдов. Квантовая механика. Наука, М. (1973). 626 с
N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh. Phys. Stat. Sol. (b) 117, 1, 93 (1983)
N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Stat. Sol. (b) 88, 2, K165 (1978)
А.А. Узаков, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ 81, 5( 11), 1940 (1981)
S. Golin. Phys. Rev. 132, 1, 178 (1963)
И.В. Кляцкина, И.С. Шлимак. ФТП 12, 1, 134 (1978)
А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП 28, 1, 168 (1994)
А.Г. Забродский, А.Г. Андреев, М.В. Алексеенко. ФТП 26, 3, 431 (1992)
A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev. Int. J. Mod. Phys. B 8, 7, 883 (1994)
Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский, С.В. Егоров. ФТТ 45, 11, 1954 (2003)
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ФТП 33, 4, 402 (1999)
В.Д. Каган. ЖЭТФ 117, 2, 452 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель