Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературная диффузия лития в твердые растворы кремний--германий
Атабаев И.Г.1, Матчанов Н.А.1, Бахранов Э.Н.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: atvi@physic.uzsci.net
Поступила в редакцию: 5 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Исследовано влияние содержания германия на диффузию лития в твердые расворы Si1-xGex при температурах 300--500oC. Установлено, что при понижении температуры с ростом содержания германия резко уменьшаются коэффициент диффузии и предельная растворимость лития. Причем с ростом температуры диффузии темп спада коэффициента диффузии лития в зависимости от состава твердого раствора уменьшается, что обусловлено влиянием упругих напряжений решетки, создаваемых изовалентыми атомами германия.
  1. С.А. Азимов, Р.А. Муминов, С.Х. Шамирзаев, А.Я. Яфасов. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. ФАН, Ташкент (1981)
  2. В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-технические основы легирования полупроводников. Наука, М. (1967)
  3. М.С. Саидов, Р.А. Муминов, У.Б. Джураев, Н.А. Матчанов. Атом. энергия 81, 4, 56 (1994)
  4. М.С. Саидов, И.Г. Атабаев, Н.А. Матчанов. Узб. физ. журн. 4, 75 (1994)
  5. M.S. Saidov, A. Yusupov, R.S. Umerov. J. Crystal Growth 52, 514 (1981)
  6. В.В. Ботавин. В кн.: Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. Сов. радио, М. (1976)
  7. М.С. Саидов, А. Юсупов, В.В. Никитин, К. Абдримов, И.Г. Атабаев. ФТП 15, 6, 1221 (1981)
  8. М.С. Саидов, А. Юсупов, У. Сирожов. Тез. докл. 6-го координац. совещ. по исследованию сплавов кремний--германий. Тбилиси (1986). С. 21
  9. И.Г. Атабаев. ФТТ 38, 8, 2338 (1996)
  10. М.С. Саидов, И.Г. Атабаев, Э.Н. Бахранов. Узб. физ. журн. 6, 25 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.