Издателям
Вышедшие номера
Зарождение полупроводников III-нитридов при гетероэпитаксии
Кукушкин С.А.1, Бессолов В.Н.2, Осипов А.В.1, Лукьянов А.В.3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Фонд поддержки науки и образования, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

Изложены результаты теоретического анализа процессов зарождения полупроводников III-нитридов при гетероэпитаксии (на примере зарождения GaN на поверхности AlN). Сделано заключение, что температура начальной стадии формирования слоя (T) определяет механизм этого процесса. При низкой температуре (T<500oC) зарождаются островки жидкого галлия, а затем в результате химической реакции между Ga и N образуются зародыши GaN. При температуре подложки T>650oC зарождаются только островки GaN. Установлено, что процесс зарождения островков GaN определяется обобщенным коэффициентом диффузии молекул GaN, являющимся комбинацией коэффициентов диффузии атомов галлия и азота. Показано, что обобщенный коэффициент диффузии GaN на поверхности кристалла возрастает на семь порядков при увеличении температуры роста от 600 до 800oC, что приводит к изменению механизма роста эпитаксиальных слоев полупроводников III-нитридов. Авторы благодарят Санкт-Петербургский научный центр РАН и Фонд поддержки науки и образования (Санкт-Петербург) за финансовую поддержку работы.
  1. S.G. Jain, M. Willander, J. Narayan, R.V. Overstraeten. J. Appl. Phys. 87, 3, 965 (2000)
  2. R.D. Vvispute, J. Narayan, H. Wu, K. Jagannadham. J. Appl. Phys. 77, 9, 4724 (1995)
  3. Handbook of Chemistry and Physics / Ed. D.R. Lide. CRC Press. (1996). P. 76
  4. X. Zhang, R.R. Li, P.D. Dapkus, D.H. Rich. Appl. Phys. Lett. 77, 14, 2213 (2000)
  5. R.S.Q. Fareed, J.W. Yang, J. Zhang, V. Adivarahan, V. Chaturvedi, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett. 77, 15, 2343 (2000)
  6. Z. Li, H. Chen, H. Liu, N. Yang, M. Zhang, L. Wan, O. Huang, J. Zhou, K. Tao. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 8 (Pt 1), 4704 (2000)
  7. S.W. King, E.P. Carlson, R.J. Therrien, J.A. Christman, R.J. Nemanich, R.F. Davis. J. Appl. Phys. 86, 10, 5584 (1999)
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998)
  9. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Наука, СПб (1996). 304 с
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 36, 5, 1258 (1994)
  11. T.K. Harafuji, Y. Hasegawa, A. Ishibashi, A. Tsujimura, I. Kidoguchi, Y. Ban, K. Ohnaka. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 11 (Pt 1), 6180 (2000)
  12. J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheffer, J. Northrup. Appl. Surf. Sci. 159--160, 355 (2000)
  13. P.P. Koleske, A.E. Wickenden et al. J. Appl. Phys. 84, 4, 1998 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.