Исследована структура вихревой решетки в тонких (d<lambda, d - толщина пленки, lambda - лондоновская глубина проникновения) сверхпроводящих пленках в параллельном поверхности пленки магнитном поле. Показано, что устойчивой является конфигурация в виде дискретных вихревых рядов, число которых меняется дискретным образом при увеличении внешнего магнитного поля. Рассчитаны поля вхождения вихревых рядов H^(N)_c1(d) для N=1,2. Показано, что структурный переход в вихревом ансамбле является фазовым переходом II рода. Предложен более простой метод (по сравнению с методом Монте-Карло) расчета параметров вихревой решетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.