Вышедшие номера
Эффекты локального поля в спектрах анизотропного оптического отражения поверхности (001) арсенида галлия
Берковиц В.Л.1, Гордеева А.Б.1, Кособукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Berkovits@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

В диапазоне энергий 1.5-5.7 eV измерены характерные спектры анизотропного отражения света от естественно окисленных поверхностей (001) нелегированных кристаллов GaAs и эпитаксиальных пленок Ga0.7Al0.3As. Для объяснения спектров предложена микроскопическая модель границы раздела (001) GaAs/окисел и развита теория анизотропного (дифференциального) отражения света от многослойной среды с монослоем атомных диполей, расположенным вблизи одной из границ раздела. В рамках метода функций Грина классической электродинамики на единой основе учтены анизотропия поляризуемости диполей и анизотропия плоской решетки, образованной диполями. Хорошее совпадение измеренных и рассчитанных спектров анизотропного отражения окисленных поверхностей (001) GaAs показывает, что основной вклад в эти спектры обусловлен эффектами локaльного поля на границе раздела полупроводник-окисел. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 99-02-18144 и 00-02-18924) и частичной поддержке проекта Миннауки "Поверхностные атомные структуры" (проект N 3.7.99).