Вышедшие номера
Особенности фотолюминесценции эрбия в кремниевых структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Андреев Б.А.1, Красильник З.Ф.1, Кузнецов В.П.1, Солдаткин А.О.1, Бреслер М.С.2, Гусев О.Б.2, Яссиевич И.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

Исследована фотолюминесценция полупроводниковых структур Si:Er:O/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. При температуре жидкого гелия измерены зависимости интенсивности фотолюминесценции эрбия от интенсивности возбуждения. Анализ полученных экспериментальных результатов на основе экситонной модели возбуждения ионов эрбия в матрице кристаллического кремния указывает на существенную роль альтернативного (помимо донорных уровней эрбиево-кислородных комплексов) канала захвата свободных экситонов, а также безызлучательного канала рекомбинации экситонов, связанных на эрбиевых донорах, без возбуждения эрбия. Оценена доля оптически активных центров эрбиевой люминесценции по отношению к полной концентрации введенного эрбия. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 98-02-16619, 98-02-18246, 99-03-32757), МНТП "Фундаментальная спектроскопия" (проект 08.02.043), МЦФПИН (грант 00-2-01) и ИНТАС (грант 99-01872).