Влияние малоугловых границ на диэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Ba0.8Sr0.2TiO3
Гольцман Б.М.1, Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.
Исследовано влияние малоугловых границ на диэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 путем сравнения пленок, отличающихся по величине кристаллических блоков. Установлено, что при уменьшении размеров блоков значительно снижается диэлектрическая проницаемость, максимум ее температурной зависимости смещается в сторону низких температур и ослабляется чувствительность диэлектрической проницаемости к электрическому полю смещения. Кроме того, установлено, что максимум температурной зависимости диэлектрической проницаемости смещается в сторону низких температур при увеличении измерительного напряжения до значений, превышающих коэрцитивное напряжение. Отмечено значительное сужение петли гистерезиса при уменьшении частоты управляющего поля. Проведен анализ причин наблюдаемых закономерностей. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 99-02-18022) и программы << Физика твердотельных наноструктур>> (проект N 97-2017).
- N.D. Browning, H.O. Moltaji, J.P. Buban. Phys. Rev. B58, 13, 8289 (1958)
- S.Y. Hou, I. Kwo, R.K. Wang, I.-Y. Cheng, D.K. Fork. J. Appl. Phys. Lett. 67, 1387 (1995)
- Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olson, T. Claesson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
- В.А. Боков. ЖТФ 27, 1784 (1987)
- Г.А. Смоленский, В.А. Исупов. ЖТФ 24, 1376 (1954)
- Б.М. Гольцман, В.К. Ярмаркин, В.В. Леманов. ФТТ 42, 6, 1083 (2000)
- Yu.A. Boikov, T. Claesson. J. Appl. Phys. To be published
- M.A. Pertsev, A.G. Zembiglotov, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. Lett. 80, 9, 1988 (1998)
- Z. Suroviak, D. Czekai, V.P. Dudkevich. Ferroelectrics 192, 313 (1997)
- T. Harikava, N. Mikami, T. Mikita, I. Tanimura, M. Kataoka. Japan J. Appl. Phys. 32, 4126 (1993)
- Б.М. Гольцман, В.В. Леманов, А.И. Дедык, Л.Т. Тер-Мартиросян, С.Ф. Карманенко. ФТТ 38, 8, 2493 (1996)
- Y.G. Wang, W.L. Zhong, P.L. Zhang. Phys. Rev. B51, 8, 5311 (1995)
- P. Auyub, V.R. Palkar, S. Chatopadhyay, M. Multani. Phys. Rev. B51, 9, 6135 (1995)
- G. Arit, D. Hennings, G. deWit. J. Appl. Phys. 58, 4, 1619 (1985)
- Г.Ф. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, Ф.И. Соколов, Н.К. Юшин. Физика сегнетоэлектрических явлений. Наука, Л. (1985). 396 с
- Ю.Я. Томашпольский. Пленочные сегнетоэлектрики. Радио и связь, М. (1984). 191 с
- W.J. Kim, W. Chang, S.B. Quadri, J.M. Pond, S.W. Kirchoefer, D.B. Chrisey, J.S. Horowitz. Appl. Phys. Lett. 76, 9, 1185 (2000)
- M. Sayer, A. Maksingh, A.K. Arara, A. Lo. Integr. Ferroelectrics 1, 1, 129 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
