Вышедшие номера
Температурный гистерезис диэлектрической проницаемости для твердых растворов Li0.12Na0.88TayNb1-yO3 (y>=q0.7), синтезированных при высоком и нормальном давлении
Олехнович Н.М.1, Радюш Ю.В.1, Вышатко Н.П.1, Мороз И.И.1, Пушкарев А.В.1, Палатников М.Н.2
1Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья Российской академии наук, Апатиты, Мурманская обл., Россия
Email: olekhnov@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 25 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Приводятся результаты исследования структурных характеристик и диэлектрических свойств (varepsilon',tgdelta) твердых растворов Li0.12Na0.88TayNb1-yO3 (y>=q0.7) (ТР), синтезированных при высоком и нормальном давлениях (керамика ВД и НД). Установлено, что ТР в параэлектрическом состоянии имеют ромбическую перовскитную структуру (пространственная группа Pnma). Температурное и частотное поведение диэлектрических свойств ТР описывается в терминах микронеоднородности системы, содержащей сегнетоактивные кластеры с повышенным содержанием Nb по сравнению с матрицей. Характеристики системы кластеров зависят от способа синтеза керамики. ВД керамика имеет большую степень микрооднородности. В области от 200 до 400 K обнаружен температурный гистерезис varepsilon', параметры которого сильно различаются для керамики ВД и НД. Температура максимума varepsilon' на ветви охлаждения для керамики НД на 50-60 K и для ВД керамики на 110 K ниже, чем на ветви нагревания. Гистерезис может быть связан с эффектом взаимодействия конденсирующейся антиполярной моды при охлаждении с неполярными упорядоченными искажениями, из-за которого система переходит в состояние глобального минимума. Деконденсация этой моды при нагревании системы в условиях нахождения ее в указанном состоянии проходит при более высокой температуре. Работа выполнена при поддержке Белорусского (грант N Ф02Р-070) и Российского (грант N 03-03-32964) фондов фундаментальных исследований.