Издателям
Вышедшие номера
Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков (основные стадии)
Захаров М.А.1, Кукушкин С.А.2, Осипов А.В.2
1Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ksa@phase.ipme.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

На основании многомерной теории фазовых переходов первого рода изучена кинетика переключения многоосных сегнетоэлектрических кристаллов со 180o и 90o доменами при нормальном и послойном механизмах доменного роста. Теоретически исследованы основные стадии процесса переключения многоосного сегнетоэлектрика в предположении трехмерного роста переполяризованных областей цилиндрической формы. Выведена замкнутая система уравнений, описывающая кинетику переключения с учетом изменения переполяризации в процессе фазового превращения. Выведены уравнения, позволяющие рассчитывать ток переключения и его изменение во времени. Проведено качественное сопоставление основных характеристик переключения с соответствующими экспериментальными данными на примере титаната бария. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 03-01-00574 и 03-03-32503), Российского центра "Интеграция" (проекты N A0151 и Б0056), Программы "Управление нелинейными механическими системами в условиях неопределенности и хаоса" (проект N 19), гранта Минпромнауки (проект N 40.010.11.1195), государственного контракта (N НФМ-1/03, НШ-2288.2003.1) и программы РФФИ--NWO (проект N 047.011.2001.011) и гранта (N 35460-U "CONACYT") правительства Мексики.
  1. М.А. Захаров, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 46, 7, 1238 (2004)
  2. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 80 (2001); 1, 88 (2001); 2, 312 (2001)
  3. С.А. Кукушкин, М.А. Захаров. ФТТ 44, 2, 332 (2002); 12, 2193 (2002)
  4. В.А. Шнейдман. ЖЭТФ 91, 2(8), 520 (1986)
  5. Ф.М. Куни, А.А. Мелихов. ТМФ 81, 2, 247 (1989)
  6. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 36, 5, 1258 (1994)
  7. Y. Ishibashi, Y. Takagi. J. Phys. Soc. Jpn. 31, 506 (1971)
  8. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 304 с.
  9. Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965)
  10. Дж. Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Мир, М. (1979). 352 с
  11. M. Hayashi. J. Phys. Soc. Japan 33, 616 (1972)
  12. E.V. Burtsev, S.P. Chervonobrodov. Ferroelectrics 45, 97 (1982)
  13. M. Molotskii, R. Kris, G. Rosenmann. J. Appl. Phys. 88, 9, 5318 (2000)
  14. A.K. Tagantsev, I. Stolichnov, E.L. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys. 90, 3, 1387 (2001)
  15. R.E. Nettleton. J. Appl. Phys. 38, 7, 2775 (1967)
  16. W.J. Merz. J. Appl. Phys. 27, 938 (1956)
  17. H.L. Stadler. J. Appl. Phys. 33, 12, 3487 (1962).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.