Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сегнетоэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция с примесями некоторых редкоземельных металлов

Волк Т.Р.¹, Салобутин В.Ю.¹, Ивлева Л.И.¹, Полозков Н.М.¹, Панкрат Р.¹, Вёлеке М.¹

¹Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 3 марта 2000 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние легирования кристаллов Sr_xBa_1-xNb₂O₆ при x=0.61 (SBN-0.61) примесями редкоземельных элементов (RE). Показано, что в согласии с уже имеющимися в литературе данными введение всех RE сопровождается значительным снижением температуры фазового перехода T_p и увеличением его размытия. Смещение T_p для некоторых RE достигает 20^o на 1at.% примеси в кристалле. В результате снижения T_p значительно возрастают величины диэлектрической проницаемости, пьезо- и электрооптических коэффициентов, что экспериментально установлено в кристаллах SBN-0.61 : Yb, SBN-0.61 : Ce, SBN-0.61 : Tm, SBN-0.61 : Tm, SBN-0.61 : (Ce + La). Тем самым легирование RE является способом оптимизации свойств SBN. Впервые исследовано импульсное переключение кристаллов SBN-0.61 и SBN-0.61 : RE. Обнаружен ряд особенностей переключения, главной из которых является уменьшение переключаемого заряда после приложения внешних полей. Предполагается, что этот эффект, связанный со спецификой переключения релаксорного сегнетоэлектрика, является одной из причин нестабильности параметров SBN. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 98-02-16384 и 00-02-16624).

М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 736 с. [M.E. Lines, A.M. Glass. Principles and Application of Ferroelectrics and Related Materials. Clarendon Press, Oxford (1977)]
Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). 400 с
R.R. Neurgaonkar, J.R. Oliver, W.K. Cory, L.E. Cross, D. Viehland. Ferroelectrics 160, 265 (1994)
P.L. Zhang, W.L. Zhong, Y.Y. Song, H.C. Chen. Ferroelectrics 142, 115 (1993)
N. Wittler, G. Greten, S. Kapphan, R. Pankrath. J. Seglins. Phys. Stat. Sol. (b) 189, K37 (1995)
T. Volk, Th. Woike, U. Doerfler, R. Pankrath, L. Ivleva, M. Woehlecke. Ferroelectrics 203, 457 (1997)
Landolt Boernstein III/28a. New Series (1990). P. 338
B.M. Jin, Ruyan Guo, A.S. Bhalla. Ferroelectrics 195, 73 (1997)
U. Doerfler, R. Piechatzek, Th. Woike, M.K. Imlau, V. Wirth, L. Bohaty, T. Volk, R. Pankrath, M. Woehlecke. Appl. Phys. B68, 5, 843 (1999)
R.R. Neurgaonkar, W.K. Cory, J.R. Oliver, M. Khoshnevisan. Ferroelectrics 102, 3 (1990)
J. Oliver, R. Neurgaonkar, L. Corss. J. Appl. Phys. 64, 1, 37 (1988)
W.H. Huang, D. Viehland, R.R. Neurgaonkar. J. Appl. Phys. 76, 1, 490 (1994)
D. Viehland, Z. Xu, Weng-Hsing Huang. Philosophical Magazine A/71, 2, 205 (1995)
M. Houe, P.D. Townsend. J. Phys. D: Appl. Phys. 28, 1747 (1995)
Y.Y. Zhu, J.S. Fu, R.F. Xiao, G.K.L. Wong. Appl. Phys. Lett. 70, 14, 1793 (1997)
S. Kawai, T. Ogawa, H.S. Lee, R.C. DeMattei, R.S. Feigelson. Appl. Phys. Lett. 73, 6,k 768 (1998)
А.А. Каминский, Х. Гарсия-Золе, С.Н. Багаев, Д. Хаке, Х. Капмани. Квантовая электроника 25, 12, 1059 (1998)
В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. Письма в ЖЭТФ 71, 1, 38 (2000)
L.I. Ivleva, N.V. Bogodaev, N.M. Polozkov, V.V. Osiko. Optical Materials 4, 168 (1995)
У. Мэзон. Пьезоэлектрические кристаллы и их применения в ультразвуке. Изд-во иностранной литературы, М. (1952). 448 с
Дж. Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Мир, М. (1970). 352 с. [J.C. Burfoot. Ferroelectrics. An Introduction to the Physical Principles. Princeton, N.J. Toronto (1967)]
N.C. Giles, J.L. Wolford, G.J. Edwards, R. Uhrin. J. Appl. Phys. 77, 3, 976 (1995)
R. Niemann, K. Buse, R. Pankrath, M. Neumann. Solid State Commun. 98, 209 (1996)
Th. Woike, G. Weckwerth, H. Palme, R. Pankrath. Solid State Commun. 102, 10, 743 (1997)
R.D. Shannon, C.T. Prewitt. Acta Cryst. B25, 925 (1969)
M. DiDommenico, S.H. Wemple. J. Appl. Phys. 40, 2, 720 (1969)
J. Seglins, S. Mendricks, R. Pankrath, V. Vikhnin, S. Kapphan. Verhand. DPG 1, 33, 601 (1998)
А.И. Бурханов, А.В. Шильников, Р.Э. Узаков. Кристаллография 42, 6, 1069 (1997)
В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. ФТТ 42, 7, 1296 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель