Вышедшие номера
Роль пространственного распределения локальных возмущений поляризованности в формировании позисторного эффекта
Павлов А.Н.1, Раевский И.П.1, Сахненко В.П.1
1Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

В поликристаллических полупроводниках-сегнетоэлектриках электросопротивление определяется потенциальными барьерами, обусловленными наличием на границах кристаллитов заряженных локальных поверхностных состояний. Экранирование этих барьеров зависит от состояния сегнетоэлектрической системы и достигает максимального значения, когда происходит переполяризация спонтанной поляризованности. В работе показано, что образующееся при этом локальное возмущение сегнетоэлектрической системы в виде доменной стенки между областями с разными направлениями поляризованности имеет зигзагообразную конфигурацию. Электрическое поле в области зигзагообразной доменной стенки стабилизировано и равно коэрцитивному, что и обеспечивает малую величину потенциальных барьеров в сегнетоэлектрической фазе по сравнению с параэлектрической. В результате в области перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую, когда переполяризационные процессы перестают участвовать в экранировании потенциальных барьеров, наблюдается явление резкого увеличения электросопротивления, называемое позисторным эффектом.
  1. W. Heywang. J. Amer. Ceram. Soc. 47, 10, 484 (1964)
  2. А.Н. Павлов. ФТТ 36, 3, 579 (1994)
  3. В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1976). 408 с
  4. Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с
  5. Е.Г. Фесенко, В.Г. Гавриляченко, А.Ф. Семенчев. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов. Изд-во РГУ, Ростов-на-Дону. (1990). 192 с
  6. Е.Г. Фесенко, В.Г. Гавриляченко, М.А. Мартыненко, А.Ф. Семенчев. Изв. АН СССР. Сер. физ. 39, 4, 762 (1975)
  7. Г.Н. Дульнев, В.В. Новиков. Процессы переноса в неоднородных средах. Энергоатомиздат, Л. (1991). 248 с
  8. Л.П. Холоденко. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа BaTiO-=SUB=-3-=/SUB=-. Знание, Рига (1971). 227 с
  9. W.J. Merz. Phys. Rev. 76, 1221 (1949)
  10. H.H. Wieder. J. Appl. Phys. 26, 1479 (1955)
  11. Полупроводники на основе титаната бария. Энергоиздат., М. (1982). 328 с
  12. И.П. Раевский, Е.И. Бондаренко, А.Н. Павлов, О.И. Прокопало, П.Ф. Тарасенко. ФТТ 26, 4, 1219 (1984)
  13. S. Triebwasser. Phys. Rev. 101, 3, 993 (1956)
  14. И.П. Раевский, Е.И. Бондаренко, А.Н. Павлов, О.И. Прокопало, П.Ф. Тарасенко. ЖТФ 55, 3, 603 (1985)
  15. G.T. Mallik, P.R. Emtage. J. Appl. Phys. 39, 6, 3088 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.