В поликристаллических полупроводниках-сегнетоэлектриках электросопротивление определяется потенциальными барьерами, обусловленными наличием на границах кристаллитов заряженных локальных поверхностных состояний. Экранирование этих барьеров зависит от состояния сегнетоэлектрической системы и достигает максимального значения, когда происходит переполяризация спонтанной поляризованности. В работе показано, что образующееся при этом локальное возмущение сегнетоэлектрической системы в виде доменной стенки между областями с разными направлениями поляризованности имеет зигзагообразную конфигурацию. Электрическое поле в области зигзагообразной доменной стенки стабилизировано и равно коэрцитивному, что и обеспечивает малую величину потенциальных барьеров в сегнетоэлектрической фазе по сравнению с параэлектрической. В результате в области перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую, когда переполяризационные процессы перестают участвовать в экранировании потенциальных барьеров, наблюдается явление резкого увеличения электросопротивления, называемое позисторным эффектом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.