Вышедшие номера
Тонкая структура экситонных уровней в нанокристаллах CdSe
Гупалов С.В.1, Ивченко Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: goupalov@coherent.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Рассчитана тонкая структура основного уровня экситона в сферическом нанокристалле полупроводника со структурой цинковой обманки и вюрцита с учетом короткодействующей и дальнодействующей (неаналитической) составляющих обменного взаимодействия. Найдена зависимость от зонных параметров для вклада дальнодействующего обменного взаимодействия в спиновый гамильтониан, описывающий расщепление основного экситонного уровня. Исследовано влияние на тонкую структуру экситонного уровня различия фоновых диэлектрических проницаемостей нанокристалла и диэлектрической матрицы, в которой он синтезирован. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 98-02-18267).