Издателям
Вышедшие номера
Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов
Воронков В.В.1, Воронкова Г.И.1, Батунина А.В.1, Головина В.Н.1, Мильвидский М.Г.1, Гуляева А.С.1, Тюрина Н.Б.1, Арапкина Л.В.1
1Государственный научно-исследовательский институт редких металлов (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
Email: icpm@mail.girmet.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Генерация низкотемпературных термодоноров (ТД) в кремнии чувствительна к скорости охлаждения образцов (от температуры отжига до комнатной) и к атмосфере (воздух или вакуум). Этот эффект наиболее четко выражен в случае отжига при 500oC, заметен при 480oC, но почти отсутствует при 450oC. Результаты хорошо объясняются ускорением процесса генерации ТД в присутсвии собственных межузельных атомов кремния (Si). Эти атомы эмиттируются термодонорами и затем поглощаются стоками --- поверхностью образца и объемными микродефектами (вакансионными порами). При отжиге в вакууме основным стоком является поверхность. При отжиге на воздухе этот сток "пассивирован" благодаря окислению и/или загрязнению, и главным стоком становятся поры; в результате концентрация атомов SiI существенно возрастает и скорость генерации увеличивается. Быстрое охлаждение образцов приводит к частичной пассивации пор (вследствие их декодирования быстро диффундирующими примесями) и к дополнительному увеличению скорости генерации. Расчетные кинетические кривые, полученные в рамках данной модели, хорошо описывают эксперимент.
  • G.D. Watkins. In: Proc. 14 Intern. Conference on Defects in Semiconductors. (1986). P. 953
  • P. Wagner, J. Hage. Appl. Phys. A49, 2, 123 (1989)
  • V.V. Voronkov. Semicond. Sci. Technol. 8, 2037 (1993)
  • В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния. Интерпрес, Киев (1977). 240 c
  • A.R. Bean, R.C. Newman. J. Phys. Chem. Solid. 33, 2, 255 (1972)
  • J. Leroueille. Phys. Stat. Sol. A67, 1, 177 (1981)
  • R.C. Newman, A.R. Brown, R. Murray, A. Tipping, J.H. Tucker. In: Semicond. Silicon / Ed. by H.R. Huff, K.G. Barraclough, J. Chikawa. Vol. 90-7. The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1990). P. 734
  • H.J. Stein, S. Hahn. In: Defect Control in Semiconductors. Part 1 / Ed. by K. Sumino. Elsevier, Amsterdam (1990). P. 241
  • C.S. Chen, C.F. Li, H.J. Ye, S.C. Shen, D.R. Yang. J. Appl. Phys. 76, 3 347 (1994)
  • D. Yang, R. Fan, L. Li, D. Que, K. Sumino. J. Appl. Phys. 80, 1493 (1996)
  • В.В. Воронков. Кристаллография 38, 1, 150 (1993)
  • V.V. Voronkov, R. Falster. J. Crystal Growth 194, 76 (1993)
  • R. Falster, M. Pagani, D. Gambaro, M. Cornara, M. Olmo, G. Ferrero, P. Pichler, M. Jacob. Solid State Phenomena 57--58, 129 (1997)
  • J.A. Griffin, J. Hartung, J. Weber, N. Navarro, L. Genzel. Appl. Phys. A48, 47 (1989)
  • A. Hara, M. Aoki, M. Koizuka, T. Fukuda. J. Appl. Phys. 75, 2929 (1994)
  • R. Falster, Z. Laczik, G.R. Booker, A.R. Bhatti, P. Torok. In: Defect Engineering in Semiconductor Growth. Processing and Device Technology / Ed. by S. Ashok, J. Chevallier, K. Sumino, E. Weber. Vol. 262. MRS Proceeding series, Pittsburgh, Pennsilvania (1992). P. 945
  • Я.И. Френкель. Кинетическая теория жидкостей. Наука, Л. (1975). 592 с
  • M. Jacob, P. Pichler, H. Ryssel, R. Falster. J. Appl. Phys. 82, 182 (1997)
  • M. Jacob, P. Pichler, H. Ryssel, R. Falster, M. Cornara, D. Gambaro, M. Olmo, M. Pagani. Solid State Phenom. 57/58, 349 (1997)
  • V.V. Voronkov, R. Falster. J. Crystal Growth 204, 462 (1999)
  • M. Jacob, P. Pichler, R. Falster (1997). Неопубликованные данные (частное сообщение)
  • S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Physics 77, 1427 (1995)
  • G.D. Watkins. In: Defects in Silicon III / Ed. by T. Abe, W.M. Bullis, S. Kobayashi, W. Lin, P. Wagner. Vol. 99--1. The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1999). P. 38
  • V.V. Voronkov, R. Falster. J. Appl. Phys. 86, 11, 5975 (1999)
  • A. Hara, M. Koizuka, M. Aoki, T. Fukuda, H. Yamada-Kaneta, H. Mori. Jpn. J. Appl. Phys. 33, 5577 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.