Издателям
Вышедшие номера
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимации в вакууме
Сорокин Л.М.1, Трегубова А.С.1, Щеглов М.П.1, Лебедев А.А.1, Савкина Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev.Sorokin@shuvpop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 3 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Рентгенодифракционными методами (топография, дифрактометрия) и методом оптической микроскопии изучалось структурное совершенство подложек карбида кремния и гомоэпитаксиальных слоев, выращенных на них сублимационным методом. Определены оптимальные дифракционные условия (hkil-отражения, lambda --- длина волны излучения, геометрия съемки), дающие возможность выявить "микропайпы" дислокационной природы. Показано, что использованные условия роста позволяют получать эпитаксиальные слои высокого совершенства. Работа была поддержана грантом INTAS (N 97-30834).
  • А.Н. Андреев, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, В.П. Растегаев, С.И. Дорожкин, В.Е. Челноков. ФТП 29, 10, 1828 (1995)
  • M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. Mater. Sci. Eng. B11, 113 (1992)
  • M. Dudley, W. Si, S. Wang, C. Carter jr., R. Glass, V. Tsvetkov. ILNuovo Cimento 19D, 2--4, 153 (1996); 3rd European Symposium on X-Ray Topography and Hith Resolution Diffraction. Palermo, Italy, 22--24 April, 1996 / Ed. by C. Bocchi et al. Societa Italiana di Fisica-Bologna (1996)
  • F.S. Frank. Acta Cryst. 4, 497 (1951)
  • I. Sunagawa, P. Bennema. J. Cryst. Growth 53, 490 (1981)
  • H. Tanaka, Y. Uemura, Y. Inomata. J. Cryst. Growth. 53, 630 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.