Вышедшие номера
Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимации в вакууме
Сорокин Л.М.1, Трегубова А.С.1, Щеглов М.П.1, Лебедев А.А.1, Савкина Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev.Sorokin@shuvpop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 3 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Рентгенодифракционными методами (топография, дифрактометрия) и методом оптической микроскопии изучалось структурное совершенство подложек карбида кремния и гомоэпитаксиальных слоев, выращенных на них сублимационным методом. Определены оптимальные дифракционные условия (hkil-отражения, lambda --- длина волны излучения, геометрия съемки), дающие возможность выявить "микропайпы" дислокационной природы. Показано, что использованные условия роста позволяют получать эпитаксиальные слои высокого совершенства. Работа была поддержана грантом INTAS (N 97-30834).
  1. А.Н. Андреев, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, В.П. Растегаев, С.И. Дорожкин, В.Е. Челноков. ФТП 29, 10, 1828 (1995)
  2. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. Mater. Sci. Eng. B11, 113 (1992)
  3. M. Dudley, W. Si, S. Wang, C. Carter jr., R. Glass, V. Tsvetkov. ILNuovo Cimento 19D, 2--4, 153 (1996); 3rd European Symposium on X-Ray Topography and Hith Resolution Diffraction. Palermo, Italy, 22--24 April, 1996 / Ed. by C. Bocchi et al. Societa Italiana di Fisica-Bologna (1996)
  4. F.S. Frank. Acta Cryst. 4, 497 (1951)
  5. I. Sunagawa, P. Bennema. J. Cryst. Growth 53, 490 (1981)
  6. H. Tanaka, Y. Uemura, Y. Inomata. J. Cryst. Growth. 53, 630 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.