В вырожденных полупроводниковых сплавах n-Bi_1-xSb_x (0.07=< x=<0.15), легированных донорной примесью теллура, в зависимости диффузионной термоэдс от поперечного магнитного поля обнаружен максимум. Градиент температуры был направлен вдоль биссекторной оси C₁ монокристаллического образца, а магнитное поле - вдоль оси третьего порядка C₃. Электронный спектр исследованных сплавов Bi-Sb состоит из трех эквивалентных эллипсоидов с резко различающимися эффективными массами вдоль осей эллипсоида (m_||/m _normal >=250). Простая кинетическая теория показывает, что наличие максимума диффузионной термоэдс является проявлением этой резкой анизотропии электронного спектра и аддитивного вклада в явления переноса электронов всех трех эллипсоидов. Немонотонная зависимость термоэдс от поперечного магнитного поля позволила определить время релаксации электронов, а использование температурной зависимости этого времени релаксации позволило разделить время релаксации электронов при рассеянии их на ионизованных примесях и на акустических фононах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.