Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2000, выпуск 7 » Статья стр. 1207
<<<>>>
Магнитопоглощение гексагональных кристаллов CdSe в сильных и слабых полях: квазикубическое приближение
Капустина А.Б.1, Петров Б.В.1, Родина А.В.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rseis@ffm.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 21 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
PDF версия
Исследованы спектры сверхтонких свободных образцов гексагонального CdSe в магнитном поле до 8 T при температуре 1.7 K. Веерная диаграмма содержит информацию как о слабых магнитных полях (эффект Зеемана и диамагнитный сдвиг), так и о сильных полях (переходы между уровнями Ландау). После применения двух теоретических моделей для совместной интерпретации сильно- и слабополевых экспериментальных данных были вычислены два набора параметров (зонные и поляронные) для гексагонального CdSe в рамках квазикубической аппроксимации. Значения полученных поляронных/зонных параметров: эффективная масса электрона me=0.125/0.116m0, параметры Латтинжера gamma1=1.5/1.72, gamma=0.29/0.37, kappa=-0.63 и эффективный g-фактор электрона ge=0.7. Эта работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-02-16750), а также INTAS - 1997 OPEN - 1609.
  1. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park. J. Crystal Growth 16, 159 (1996)
  2. N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.L. Sorokin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. Satomayor Torres. Appl. Phys. Lett. 69, 1343 (1996)
  3. J.O. Dimmock, R.G. Weeler. J. Appl. Phys. 32, 2271 (1961)
  4. Б.Л. Гельмонт, Г.В. Михайлов, А.Г. Панфилов, Б.С. Разбирин, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос. ФТТ 29, 1730 (1987)
  5. С.И. Кохановский, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева, М.А. Абдуллаев. ФТТ 33, 1719 (1991)
  6. Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян, Т.В. Язева. ФТТ 35, 1514 (1993)
  7. G.N. Aliev, A.D. Andreev, O. Coschug-Toates, R.M. Datsiev, S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, R.P. Seisyan. J. Crystal Growth 184/185, 857 (1998)
  8. G.N. Aliev, A.D. Andreev, R.M. Datsiev, S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, A.B. Kapustina, I.L. Krestnikov, M.E. Sasin, R.P. Seisyan. J. Crystal Growth 184/185, 315 (1998)
  9. A.B. Kapustina, R.M. Datsiev, D.L. Fedorov, B.V. Petrov, R.P. Seisyan. In: Excitonic processes in condensed matter / Ed. by R.T. Williams, W.M. Yen. PV 98-25. Pennington (1998). P. 543
  10. A.V. Rodina, L. Eckey, M. Dietrich, A.Goeldner, Al.L. Efros, M. Rosen, A. Hoffmann, B.K. Meyer. Phys. Stat. Sol. (b) 216, 1, 21 (1999)
  11. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов. Наука, М. (1984). С. 272
  12. R.P. Seisyan, B.P. Zakharchenya. In: Landau Level Spectroscopy / Ed. by E.I. Rashba, G. Landwehr. North Holland, Amsterdan (1991). Ch. 7. P. 345
  13. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). С. 557
  14. J.M. Luttinger. Phys. Rev. 102, 1030 (1956)
  15. A. Baldereschi, N.C. Lipari. Phys. Rev. B3, 439 (1971); M. Altarelli, N.C. Lipari. Phys. Rev. B7, 3798 (1973)
  16. L. Swierkowski. Phys. Rev. B10, 3311 (1974)
  17. J. Flohrer, E. Jahne, M. Porsch. Phys. Stat. Sol. (b) 91, 467 (1979)
  18. Б.Л. Гельмонт, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, А.В. Варфоломеев. ФТП 11, 238 (1977)
  19. C.R. Pidgeon, R.A. Brown. Phys. Rev. 146, 575 (1966)
  20. R.L. Aggarwal. In: Semicond. and Semimet. 9, 151 (1973)
  21. Landoldt-Boernstein. Springer-Verlag, Berlin 17b (1982)
  22. H.-R. Trebin. Phys. Stat. Sol. (b) 81, 527 (1977); H.-R. Trebin, U. Roesler. Phys. Stat. Sol. (b) 70, 717 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme