Вышедшие номера
Электрические свойства кристаллов (PbS)0.59TiS2 при высоком давлении до 20 GPa
Щенников В.В.1, Титов А.Н.1, Попова С.В.1, Овсянников С.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: phisica@ifm.e-burg.su
Поступила в редакцию: 12 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

В камере высокого давления с пуансонами из синтетических алмазов при комнатной температуре исследовано электросопротивление rho и термоэдс (S) монокристаллов соединения с несогласованными слоями (PbS)0.59TiS2 и кристаллов TiS2. Наблюдалось падение rho и |S| в (PbS)0.59TiS2 при давлении P~ 2 GPa, которое связывается со структурным превращением PbS из кубической в орторомбическую фазу. Скачок rho и |S| предположительно обусловлен ростом электронной концентрации в слоях TiS2. При P<= 4 GPa, где схлопывается щель в электронном спектре TiS2, у образцов (PbS)0.59TiS2 наблюдалось снижение rho(P). Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 98-03-32656) и Программы государственной поддержки ведущих научных школ Российской Федерации (грант N 96-15-96515).
  1. G.A. Wiegers, A. Meerschaut. Mater. Sci. Forum 100 \& 101, 2, 1 (1992)
  2. A. Meerschaut, C. Auriel, J. Rouxel. J. Alloys Comp. 183, 129 (1992)
  3. H. Negishi, S. Ohara, M. Inoue. Phys. Stat. Sol. (b) 151, 2, 441 (1989)
  4. P. Panfilov, Yu.L. Gagarin, A.N. Titov. J. of Mater. Science Letters 17, 12, 1049 (1998)
  5. L.G. Khvostantsev, L.F. Vereshchagin, N.M. Uliyanitskaya. High Temp.-High Press 5, 3, 261 (1973)
  6. И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. ФТП 17, 5, 958 (1983)
  7. V.V. Shchennikov, A.V. Bahzenov. Rev. High Press. Sci. Technol. 6, 657 (1997)
  8. V.V. Shchennikov, A.Yu. Derevskov, V.A. Smirnov. In: Proc. 5 Intern. Symp. on Diamond Materials / Ed. by J.L. Davidson et al. The Electrochem. Soc., Inc., Pennington, NJ (1998). Vol. 97--32, p. 597
  9. P.C. Klipstein, R.H. Friend. J. Phys. C: Solid State Phys. 17, 15, 2713 (1984)
  10. D.R. Allan, A.A. Kelsey, S.J. Clark, R.J. Angel, G.J. Ackland. Phys. Rev. B57, 9, 5106 (1998)
  11. Г.В. Лашкарев, А.В. Бродовой, М.В. Радченко, И.П. Минтянский, А.Л. Мирец, М.В. Товарницкий. ФТТ 32, 4, 980 (1990)
  12. G.A. Samara, H.G. Drickamer. J. Chem. Phys. 37, 5, 1159 (1962)
  13. А.А. Семерчан, Н.Н. Кузин, Л.Н. Дроздова, Л.Ф. Верещагин. ДАН СССР 152, 5, 1079 (1963)
  14. Н.Б. Брандт, Д.В. Гицу, Н.С. Попович, В.И. Сидоров, С.М. Чудинов. ФТП 10, 8, 194 (1976)
  15. T. Chattopadhyay, A. Werner, H.G. Schnering. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 22, 3, 93 (1984)
  16. K. Oshima, M. Yokoyama, H. Hinode, M. Wakihara, M. Taniguchi. J. Solid State Chem. 65, 3, 392 (1986)
  17. I.V. Gridneva, Yu.V. Milman, V.I. Trefilov. Phys. Stat. Sol. (a) 14, 1, 177 (1972)
  18. G.M. Pharr, W.C. Oliver, D.S. Harding. J. Mater. Res. 6, 6, 1129 (1991)
  19. Yu.M. Yarmoshenko, V.A. Trofimova, S.N. Shamin, I.V. Solovyev, E.Z. Kurmaev, A.R.H.F. Ettema, C. Haas. J. Phys.: Condens. Matter 6, 21, 3993 (1994)
  20. В.А. Кульбачинский. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. Изд-во МГУ, М. (1998). 164 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.