Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние уровня возбуждения и электрического поля на релаксацию фотопроводимости поликристаллических слоев Cd_xHg_1-xTe / GaAs

Власенко А.И.¹, Гнатюк В.А.¹, Городниченко Е.С.¹, Мозоль П.Е.¹

¹Институт физики полупроводников Академии наук Украины, Киев, Украина

Email: gnatyuk@class.semicond.kiev.ua

Поступила в редакцию: 17 сентября 1999 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы релаксация фотопроводимости (ФП) и стационарная ФП в компенсированных поликристаллических слоях n-Cd_0.8Hg_0.2Te при T=300 K в зависимости от интенсивности светового потока и напряженности приложенного электрического поля E. Показано, что насыщение стационарной ФП и уменьшение времени релаксации при низких уровнях возбуждения с ростом E обусловлено эффектом вытягивания неосновных носителей заряда, который анализируется с учетом влияния внутреннего электрического поля потенциальных барьеров межзеренной прослойки. Особенности рекомбинации неравновесных носителей, которая протекала по нескольким каналам и зависела от уровня возбуждения и напряженности тянущего электрического поля, связываются с поликристаллической структурой слоев Cd_0.8Hg_0.2Te.

R.L. Williams, B.H. Breazeale, C.G. Roberts. Proc. Third Photoconductivity Conf. / Ed. by E.M. Pell. Pergamon Press, N. Y. (1971). C. 237
И.С. Вирт. ФТП 31, 8, 936 (1997)
А.И. Власенко, А.В. Любченко. ФТП 28, 7, 1219 (1994)
В.И. Иванов-Омский, В.К. Огородников, Т.Ц. Тотиева. ФТП 14, 4, 699 (1980)
V.A. Gnatyuk, O.S. Gorodnychenko, P.E. Mozol', A.V. Ponedilok, O.I. Vlasenko. Semicond. Sci. Techol. 13, 11, 1304 (1998)
V.S. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Techol. 44, 8, 824 (1993)
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М. (1963). 496 с
А.И. Власенко, В.А. Гнатюк, Е.П. Копишинская, В.П. Кладько, Т.Т. Крыштаб, В.И. Лукьяненко, П.Е. Мозоль, А.В. Сукач. Поверхность. Физика, химия, механика 2, 60 (1994)
А.Я. Шик. ЖЭТФ 68, 5, 1859 (1975)
А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, А.А. Корнияш, В.А. Петряков. ФТП 18, 2, 201 (1984)
Н.Н. Берченко, В.С. Кревс, В.Г. Шредин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Воениздат, М. (1982). 208 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель