Вышедшие номера
Разрушение током сверхпроводящего состояния в трехмерной решетке слабосвязанных гранул индия в опале
Романов С.Г.1, Шамшур Д.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: D.Shamshur@shuvpop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Вольт-амперные характеристики (ВАХ) композита металл-диэлектрик, представляющего собой гранецентрированную кубическую решетку большого числа слабосвязанных наногранул индия, стабилизированную в структурных полостях опала, исследованы в области резистивного состояния вблизи температуры сверхпроводящего перехода (Tc). Отклик на СВЧ-облучение был использован для характеризации резистивного состояния композита. На основе сравнительного изучения ВАХ и отклика композита на СВЧ-излучение был сделан вывод о сверхпроводимости слабых связей в области критического тока (Ic) композита как целого. Переход слабых связей в резистивное состояние происходит при токах, непосредственно предшествующих переходу композита из резистивного в омическое состояние. На основе морфологии предложена модель резистивности композита индий-опал как состояния, в котором диссипация энергии происходит из-за квазидискретного (в силу квантования магнитного потока на контурах 3M решетки многосвязных гранул) перераспределения транспортного тока по сечению композита. Данная работа была выполнена при финансовой поддержке фонда Сороса (грант N R53000); НТП "Сверхпроводимость" (проект N 96099) и РФФИ (проект N 99-02-18156).