Издателям
Вышедшие номера
Электронные свойства ультратонких Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga
Бенеманская Г.В.1, Евтихиев В.П.1, Франк-Каменецкая Г.Э.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Для субмонослойных Cs-покрытий на поверхности GaAs (100), обогащенной Ga, исследованы электронные спектры поверхностных состояний и ионизационная энергия как функция покрытия. Использовался метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. При Cs-покрытии вблизи половины монослоя в спектре ниже уровня Ферми обнаружены две узкие зоны, индуцированные адсорбцией, что указывает на наличие двух неэквивалентных позиций для атомов Cs при взаимодействии с димерами Ga. Установлено, что Cs-покрытие ~ 0.7 монослоя является насыщающим для оборванных связей Ga и адсорбционная связь имеет преимущественно ковалентный характер. При покрытиях, близких к монослою, впервые наблюдались широкие зоны с энергией 1.9, 2.05 и 2.4 eV, которые могут быть связаны с возбуждением Cs-островков или кластеров и поверхностного Cs-плазмона соответственно. Результаты свидетельствуют о наличии двух фаз адсорбции с сильной и слабой связями. Работа выполнена при поддержке гранта N 98-02-18265 РФФИ и гранта N 99-2.14 программы Миннауки РФ "Поверхностные атомные структуры".
  1. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces. Springer-Verlag. (1992). 366 p
  2. F. Bechstedt, M. Scheffler. Surf. Sci. Rep. 18, 145 (1993)
  3. M. Vitomirov, A.D. Raisanen, A.C. Finnefrock. J. Vac. Sci. Technol. B10, 4, 1898 (1992)
  4. M. Kamaratos, E. Bauer. J. Appl. Phys. 70, 12, 7564 (1991)
  5. Yia-Chung Chang, Shang-Fen Ren, D.E. Aspnes. J. Vac. Sci. Technol. A10, 4, 1856 (1992)
  6. Г.В. Бенеманская, Д.В. Дайнека, Г.Э. Франк-Каменецкая. Письма в ЖЭТФ 65, 9, 699 (1997)
  7. G.V. Benemanskaya, D.V. Daineka, G.E. Frank-Kamenetskaya. Surf. Rev. Lett. 5, 1, 91 (1998)
  8. J. Kim, M.C. Callaghder, R.F. Willis. Appl. Surf. Sci. 67, 286 (1993)
  9. A. Liebch, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin. Surf. Sci. 302, 303 (1994)
  10. Г.В. Бенеманская. М.Н. Лапушкин, М.И. Урбах. ЖЭТФ 102, 5, 1664 (1992)
  11. D. Rodway. Surf. Sci. 147, 103 (1984)
  12. G. Vergara, L.J. Gomez, J. Campany, M.T. Montojo. Surf. Sci. 278, 131 (1992)
  13. B. Kierren, D. Paget. J. Vac. Technol. A15, 4, 2074 (1997)
  14. A. Liebsch, G. Hincelin, T. Lipez-Rios. Phys. Rev. B41, 15, 10 463 (1990)
  15. A.O. Gusev, D. Paget, Y.Ya. Aristov, P. Soukassian, V.L. Berkovits, V. Thierry-Mieg. J. Vac. Sci. Technol. A15, 4, 192 (1997)
  16. H. Gao. J. Vac. Technol. A5, 4, 1295 (1987)
  17. J. Sakai, G. Mizutani, S. Ushioda. Appl. Surf. Sci. 64, 275 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.