Вышедшие номера
Нелинейное поглощение пикосекундного импульса в a-Si : H
Бугаев А.А.1, Коньков О.И.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Приводятся результаты исследований наведенного поглощения в пленке a-Si : H, индуцированного пикосекундным лазерным импульсом с энергией кванта, незначительно превышающей ширину запрещенной зоны. Для резонансного возбуждения образца использовались пикосекундные импульсы вынужденного комбинационного рассеяния, получаемые при накачке кювет с метаном и водородом. Показано, что поперечное сечение поглощения складывается из поглощения свободных носителей и поглощения дырок, захваченных на локализованные уровни в "хвосте" зоны проводимости. Работа выполнена в рамках проекта Министерства науки и техники России "Оптика. Лазерная физика".