Издателям
Вышедшие номера
Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe, выращенных на подложках GaAs (100)
Зайцев В.В.1, Багаев В.С.1, Онищенко Е.Е.1, Садофьев Ю.Г.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: zaitsev@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 2 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Исследованы спектры отражения и низкотемпературной фотолюминесценции пленок ZnTe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (ориентация (100), отклонение на 3o к < 110> ). Показано, что деформационное расщепление свободного экситона (Delta Eex) не зависит от толщины пленок ZnTe в диапазоне 1--5.7 mum и обусловлено двуосным растяжением пленки в плоскости слоя. Величина напряжений определяется в основном разницей термических коэффициентов пленки и подложки. При этом показано, что остаточные напряжения, обусловленные неполной релаксацией параметра решетки пленки к его равновесному значению при температуре роста, также вносят определенный вклад. Положение линии локализованного на нейтральном акцепторе (As) экситона хорошо описывается в рамках существующих моделей, учитывающих напряжения, величина которых вычислена на основе значения Delta Eex. Данная работа выполнена в рамках проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 98-02-16980, N 97-02-16721 и N 99-02-18161) и проекта Межведомственной программы ФТНС министерства науки РФ N 97-1045. Работа также частично поддержана грантом поддержки научных школ РФФИ (N 96-15-96341).
  • A.M. Glass, K. Tai, R.B. Bylsma, R.D. Feldman, D.H. Olson, R.F. Austin. Appl. Phys. Lett. 53, 10, 834 (1988)
  • В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.В. Калинин, В.Д. Кузьмин, С.Р. Октябрьский, А.Ф. Плотников. Письма в ЖЭТФ 58, 2, 82 (1993)
  • V.S. Bagaev, V.V. Zaitsev, V.V. Kalinin, V.D. Kuzmin, S.R. Oktyabrskii, A.F. Plotnikov. Solid Stat. Commun. 88, 10, 777 (1993)
  • S.L. Zhang, Y.T. Hou, M.Y. Shen, J.T. Li, S.H. Yuan. Phys. Rev. B47, 19, 12 937 (1993)
  • В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.В. Калинин, В.Д. Кузьмин, С.Р. Октябрьский, А.Ф. Плотников. Изв. РАН. Сер. физ. 58, 7, 97 (1994)
  • J. Cibert, Y. Gobil, Le Si Dang, S. Tatarenko, G. Fiuillet, H.P. Jouneau, K. Saminadayar. Appl. Phys. Lett. 56, 3, 292 (1990)
  • В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.В. Калинин, Е.Е. Онищенко. ФТТ 38, 6, 1728 (1996)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). 584 c
  • Y. Zhang, B.J. Skromme, F.S. Turco-Sandroff. Phys. Rev. B46, 7, 3872 (1992)
  • H. Tatsuoka, H. Kuwabara, Y. Nakanishi, H. Fujiyasu. J. Appl. Phys. 67, 11, 6860 (1990)
  • H. Tatsuoka, H. Kuwabara, Y. Nakanishi, H. Fujiyasu. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 554 (1992)
  • T. Itoh, K. Shinone, N. Katagiri, M. Furumiya, T. Tezuka. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 835 (1992)
  • K. Shahzad. Phys. Rev. B38, 12, 8309 (1988)
  • K. Ohkawa, T. Mitsuyu, O. Yamazaki. Phys. Rev. B37, 17, 12 465 (1988)
  • D.J. Olego, K. Shahzad, J. Petruzzello, D. Cammack. Phys. Rev. B36, 14, 7674 (1987)
  • Landolt-Bornstein, New Series. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology / Ed. by K.-H. Hellwege. Vol. 17. Parts a and b. Springer-Verlag, Berlin (1982)
  • С.И. Новикова. Тепловое расширение твердых тел. Наука, М. (1974). 292 с
  • W. Wardynski, M. Giriat, Szymczak, R. Kowalczyk. Phys. Stat. Sol. (b) 49, 1, 71 (1972)
  • J. Calatayud, J. Allegre, H. Mattieu, N. Magnea, H. Mariette. Phys. Rev. B47, 15, 9684 (1993)
  • Le Si Dang, J. Cibert, Y. Gobil, K. Saminadayar, S. Tatarenko. Appl. Phys. Lett. 55, 4, 235 (1989)
  • G. Kudlek, N. Presser, J. Gutowski, K. Hingerl, E. Abramof, H. Sitter, Semicond. Sci. Technol. 6, 9A, A90 (1991)
  • J. Gutowski. Semicond. Sci. Technol. 6, 9A, A51 (1991)
  • K. Kumazaki, F. Iida, K. Ohno, K. Hatano, K. Imai. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 285 (1992)
  • H.P. Wagner, S. Lankes, K. Wolf, W. Kuhn, P. Link, W. Gebhardt. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 303 (1992)
  • G. Kudlek, N. Presser, J. Gutowski, K. Hingerl, E. Abramof, A. Pesek, H. Pauli, H. Sitter. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 290 (1992)
  • Г.Е. Пикус, Е.Л. Ивченко. В кн.: Экситоны. Наука, М. (1985). C. 148
  • D.E. Cooper, P.R. Newman. Phys. Rev. B39, 11, 7431 (1989)
  • Y. Oka, M. Cardona. Solid Stat. Commun. 30, 4, 447 (1979)
  • H. Venghaus, P.J. Dean. Phys. Rev. B21, 4, 1596 (1980)
  • H. Mathieu, J. Camassel, F. Ben Chekroun. Phys. Rev. B29, 6, 3438 (1984)
  • F. Dal'bo, G. Lenz, N. Magnea, H. Mariette, Le Si Dang, J.L. Pautrat. J. Appl. Phys. 66, 3, 1338 (1989)
  • В.Д. Кулаковский, Г.Е. Пикус, В.Б. Тимофеев. УФН 135, 2, 237 (1981)
  • M. Schmidt. Phys. Stat. Sol. (b) 79, 2, 533 (1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.