Вышедшие номера
Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe, выращенных на подложках GaAs (100)
Зайцев В.В.1, Багаев В.С.1, Онищенко Е.Е.1, Садофьев Ю.Г.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: zaitsev@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 2 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.

Исследованы спектры отражения и низкотемпературной фотолюминесценции пленок ZnTe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (ориентация (100), отклонение на 3o к < 110> ). Показано, что деформационное расщепление свободного экситона (Delta Eex) не зависит от толщины пленок ZnTe в диапазоне 1--5.7 mum и обусловлено двуосным растяжением пленки в плоскости слоя. Величина напряжений определяется в основном разницей термических коэффициентов пленки и подложки. При этом показано, что остаточные напряжения, обусловленные неполной релаксацией параметра решетки пленки к его равновесному значению при температуре роста, также вносят определенный вклад. Положение линии локализованного на нейтральном акцепторе (As) экситона хорошо описывается в рамках существующих моделей, учитывающих напряжения, величина которых вычислена на основе значения Delta Eex. Данная работа выполнена в рамках проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 98-02-16980, N 97-02-16721 и N 99-02-18161) и проекта Межведомственной программы ФТНС министерства науки РФ N 97-1045. Работа также частично поддержана грантом поддержки научных школ РФФИ (N 96-15-96341).
  1. A.M. Glass, K. Tai, R.B. Bylsma, R.D. Feldman, D.H. Olson, R.F. Austin. Appl. Phys. Lett. 53, 10, 834 (1988)
  2. В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.В. Калинин, В.Д. Кузьмин, С.Р. Октябрьский, А.Ф. Плотников. Письма в ЖЭТФ 58, 2, 82 (1993)
  3. V.S. Bagaev, V.V. Zaitsev, V.V. Kalinin, V.D. Kuzmin, S.R. Oktyabrskii, A.F. Plotnikov. Solid Stat. Commun. 88, 10, 777 (1993)
  4. S.L. Zhang, Y.T. Hou, M.Y. Shen, J.T. Li, S.H. Yuan. Phys. Rev. B47, 19, 12 937 (1993)
  5. В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.В. Калинин, В.Д. Кузьмин, С.Р. Октябрьский, А.Ф. Плотников. Изв. РАН. Сер. физ. 58, 7, 97 (1994)
  6. J. Cibert, Y. Gobil, Le Si Dang, S. Tatarenko, G. Fiuillet, H.P. Jouneau, K. Saminadayar. Appl. Phys. Lett. 56, 3, 292 (1990)
  7. В.С. Багаев, В.В. Зайцев, В.В. Калинин, Е.Е. Онищенко. ФТТ 38, 6, 1728 (1996)
  8. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). 584 c
  9. Y. Zhang, B.J. Skromme, F.S. Turco-Sandroff. Phys. Rev. B46, 7, 3872 (1992)
  10. H. Tatsuoka, H. Kuwabara, Y. Nakanishi, H. Fujiyasu. J. Appl. Phys. 67, 11, 6860 (1990)
  11. H. Tatsuoka, H. Kuwabara, Y. Nakanishi, H. Fujiyasu. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 554 (1992)
  12. T. Itoh, K. Shinone, N. Katagiri, M. Furumiya, T. Tezuka. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 835 (1992)
  13. K. Shahzad. Phys. Rev. B38, 12, 8309 (1988)
  14. K. Ohkawa, T. Mitsuyu, O. Yamazaki. Phys. Rev. B37, 17, 12 465 (1988)
  15. D.J. Olego, K. Shahzad, J. Petruzzello, D. Cammack. Phys. Rev. B36, 14, 7674 (1987)
  16. Landolt-Bornstein, New Series. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology / Ed. by K.-H. Hellwege. Vol. 17. Parts a and b. Springer-Verlag, Berlin (1982)
  17. С.И. Новикова. Тепловое расширение твердых тел. Наука, М. (1974). 292 с
  18. W. Wardynski, M. Giriat, Szymczak, R. Kowalczyk. Phys. Stat. Sol. (b) 49, 1, 71 (1972)
  19. J. Calatayud, J. Allegre, H. Mattieu, N. Magnea, H. Mariette. Phys. Rev. B47, 15, 9684 (1993)
  20. Le Si Dang, J. Cibert, Y. Gobil, K. Saminadayar, S. Tatarenko. Appl. Phys. Lett. 55, 4, 235 (1989)
  21. G. Kudlek, N. Presser, J. Gutowski, K. Hingerl, E. Abramof, H. Sitter, Semicond. Sci. Technol. 6, 9A, A90 (1991)
  22. J. Gutowski. Semicond. Sci. Technol. 6, 9A, A51 (1991)
  23. K. Kumazaki, F. Iida, K. Ohno, K. Hatano, K. Imai. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 285 (1992)
  24. H.P. Wagner, S. Lankes, K. Wolf, W. Kuhn, P. Link, W. Gebhardt. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 303 (1992)
  25. G. Kudlek, N. Presser, J. Gutowski, K. Hingerl, E. Abramof, A. Pesek, H. Pauli, H. Sitter. J. Cryst. Growth 117, 1--4, 290 (1992)
  26. Г.Е. Пикус, Е.Л. Ивченко. В кн.: Экситоны. Наука, М. (1985). C. 148
  27. D.E. Cooper, P.R. Newman. Phys. Rev. B39, 11, 7431 (1989)
  28. Y. Oka, M. Cardona. Solid Stat. Commun. 30, 4, 447 (1979)
  29. H. Venghaus, P.J. Dean. Phys. Rev. B21, 4, 1596 (1980)
  30. H. Mathieu, J. Camassel, F. Ben Chekroun. Phys. Rev. B29, 6, 3438 (1984)
  31. F. Dal'bo, G. Lenz, N. Magnea, H. Mariette, Le Si Dang, J.L. Pautrat. J. Appl. Phys. 66, 3, 1338 (1989)
  32. В.Д. Кулаковский, Г.Е. Пикус, В.Б. Тимофеев. УФН 135, 2, 237 (1981)
  33. M. Schmidt. Phys. Stat. Sol. (b) 79, 2, 533 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.