Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К теории анизотропии магнитного момента мелких акцепторных центров в алмазоподобных полупроводниках

Малышев А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Для алмазоподобных полупроводников с большой величиной спин-орбитального взаимодействия, таких как Ge и GaAs, рассчитано расщепление спинового квартета подуровней основного состояния мелких акцепторных центров в магнитном поле. Показано, что величина анизотропии этого расщепления сильно зависит от энергии связи и очень чувствительна к малым изменениям зонных параметров Латтинжера. Эти сильные зависимости позволяют использовать расчеты величин g-факторов основного состояния для определения магнитных зонных констант Латтинжера kappa и q. В работе предложен новый метод определения этих параметров и рассчитаны их величины для Ge и GaAs.

H.P. Soepangkat, P. Fisher. Phys. Rev. B8, 870 (1973)
J. Schubert, M. Dahl, E. Bangert. Zeeman effect of the carbon acceptor in GaAs. High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II by G. Landwehr. Springer, Berlin, (1989)
R. Atzmuller et al. J. Phys.: Condens. Matter. 3, 6775 (1991)
R.A. Lewis, M. Henini. Phys. Stat. Sol. ( b) 210, 821 (1998)
P. Fisher et al. Phys. Rev. B47, 12 999 (1993)
P. Fisher, C.A. Freeth, R.E.M. Vickers. Phys. Stat. Sol. ( b) 210, 827 (1998)
R.E.M. Vickers, P. Fisher, C.A.Freeth. Sol. ( b) 210, 839 (1998)
R.F. Kirkman, R.A. Stradling, P. Lin-Chung. J. Phys. C: Solid State Phys. 11, 419 (1978)
J. Broeckx et al. J. Phys. C: Solid State Phys. 12, 4061 (1979)
Y. Kamiura et al. Solid State Commun. 38, 883 (1981)
H. Tokumoto, T. Ishido. Phys. Rev. B15, 2099 (1977)
Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, В.Г. Флейшер. Письма в ЖЭТФ 17, 5, 224 (1973)
D. Bimberg, K. Cho, W. Kottler. In: Proc. Int. Colloque on Physics in High Magnetic Fields (Grenoble, 1974); Colloques Internationaux CNRS (Paris) 242 (1975)
D. Bimberg. Phys. Rev. B18 1794 (1978)
A.K. Bhattacharjee, S. Rodriguez. Phys. Rev. B6, 3836 (1972)
P. Lin-Chung, R.F. Wallis. J. Phys. Chem. Solids 30 1453 (1969)
N.O. Lipari, M. Altarelli. Solid State Commun. 33, 47 (1980)
J. Broeckx, P. Claus. Solid State Commun. 28, 355 (1978)
Schmitt et al. J. Phys.: Condens. Matter. 3, 6789 (1991)
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). С. 539
B. Bleaney. Proc. Phys. Soc. 73, 937 (1959)
B. Bleaney. Proc. Phys. Soc. 73, 939 (1959)
W. Kohn, D. Schechter. Phys. Rev. 99, 1903 (1955)
K.S. Mendelson, H.M. James. J. Phys. Chem. Solids 25, 729 (1964)
A. Baldereschi, N.O. Lipari. Phys. Rev. B8, 2697 (1973)
Б.Л. Гельмонт, А.В. Родина. ФТП 25, 2189 (1991)
И.А. Меркулов, А.В. Родина. ФТП 28, 321 (1994)
А.В. Малышев, И.А. Меркулов, А.В. Родина. ФТП 30, 159 (1996)
A.V. Malyshev, I.A. Merkulov, A.V. Rodina. Phys. Rev. B55, 4388 (1997)
J.M. Luttinger. Phys. Rev. 102, 1030 (1956)
J.C. Hensel, K. Suzuki. Phys. Rev. B9, 4219 (1974)
Landolt-Borstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Vol. 17. Subvol. a. Springer-Verlag (1982)
В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ 82, 237 (1982)
K. Hess et al. Proc. 13 th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Rome)/ Ed. by F.G. Fumi. North--Holland Amsterdam (1976). P. 142
X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune, M. Paillard, P. Renucci, L.E. Golub, V.D. Dymnikov, E.L. Ivchenko. Phys. Rev. B., в печати
Б.Л. Гельмонт, М.И. Дьяконов. ФТП 7, 2013 (1973)
А.В. Малышев, И.А. Меркулов. ФТП 39, 58 (1997)
A.V. Malyshev, I.A. Merkulov, A.V. Rodina. Phys. Stat. Sol. ( b) 210, 865 (1998)
H.-R. Trebin, U. Rossler, R. Ranvaud. Phys. Rev. B20, 686 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель