Вышедшие номера
К теории анизотропии магнитного момента мелких акцепторных центров в алмазоподобных полупроводниках
Малышев А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Для алмазоподобных полупроводников с большой величиной спин-орбитального взаимодействия, таких как Ge и GaAs, рассчитано расщепление спинового квартета подуровней основного состояния мелких акцепторных центров в магнитном поле. Показано, что величина анизотропии этого расщепления сильно зависит от энергии связи и очень чувствительна к малым изменениям зонных параметров Латтинжера. Эти сильные зависимости позволяют использовать расчеты величин g-факторов основного состояния для определения магнитных зонных констант Латтинжера kappa и q. В работе предложен новый метод определения этих параметров и рассчитаны их величины для Ge и GaAs.