Вышедшие номера
Экситоны Ванье--Мотта в гетероструктурах узкощелевых полупроводников
Силин А.П.1, Шубенков С.В.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

В двухзонной модели Дирака проведено исследование спектров экситонов в массивном полупроводнике и в тонком полупроводниковом слое. Получены тонкие структуры спектров, зависимость энергии связи экситона от ширины запрещенной зоны и в двумерном случае - от толщины слоя.
  1. Н. Нокс. Теория экситонов. Мир, М. (1996)
  2. В.М. Агронович. Теория экситонов. Наука, М. (1968)
  3. Е.А. Андрюшин, А.П. Силин. ФТТ 35, 1947 (1993)
  4. А.П. Силин. УФН 147, 485 (1993)
  5. М.В. Валейко, И.И. Заславский, А.В. Матвиенко, Б.Н. Мацонашвили. Письма в ЖЭТФ 43, 140 (1986)
  6. Б.А. Волков, Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов. УФН 165, 799 (1995)
  7. Е.А. Андрюшин, А.П. Силин, С.В. Шубенков. Краткие сообщения по физике ФИАН 7--8, 22 (1995)
  8. А.И. Ахиезер, В.Б. Берестецкий. Квантовая электродинамика. Наука, М. (1989), 83
  9. А.П. Силин, С.В. Шубенков. Краткие сообщения по физике ФИАН 7--8, 9 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.