Экситоны Ванье--Мотта в гетероструктурах узкощелевых полупроводников
Силин А.П.1, Шубенков С.В.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
В двухзонной модели Дирака проведено исследование спектров экситонов в массивном полупроводнике и в тонком полупроводниковом слое. Получены тонкие структуры спектров, зависимость энергии связи экситона от ширины запрещенной зоны и в двумерном случае - от толщины слоя.
- Н. Нокс. Теория экситонов. Мир, М. (1996)
- В.М. Агронович. Теория экситонов. Наука, М. (1968)
- Е.А. Андрюшин, А.П. Силин. ФТТ 35, 1947 (1993)
- А.П. Силин. УФН 147, 485 (1993)
- М.В. Валейко, И.И. Заславский, А.В. Матвиенко, Б.Н. Мацонашвили. Письма в ЖЭТФ 43, 140 (1986)
- Б.А. Волков, Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов. УФН 165, 799 (1995)
- Е.А. Андрюшин, А.П. Силин, С.В. Шубенков. Краткие сообщения по физике ФИАН 7--8, 22 (1995)
- А.И. Ахиезер, В.Б. Берестецкий. Квантовая электродинамика. Наука, М. (1989), 83
- А.П. Силин, С.В. Шубенков. Краткие сообщения по физике ФИАН 7--8, 9 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.