Издателям
Вышедшие номера
Низкочастотный шум в монодисперсных наноструктурах платины вблизи порога протекания
Румянцев С.Л.1,2, Левинштейн М.Е.1, Гуревич С.А.1, Кожевин В.М.1, Явсин Д.А.1, Shur M.S.2, Pala N.2,3, Khanna A.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, USA
3Sensor Electronic Technology, Inc., SC Columbia, USA
Email: vmk@pltec.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Установлено значение порога протекания p0~0.6 для монодисперсных наноструктур платины (Pt) с размером металлических частиц 1.8 nm, нанесенных в виде монослоя на диэлектрическую подложку методом лазерного электродиспергирования. Показано, что в "металлическом" состоянии (при p>p0) как величина шума, так и его температурная зависимость близки к аналогичным параметрам чисто металлических слоев Pt. Частотная зависимость относительной спектральной плотности шума описывается зависимостью SI/I2~1/fgamma с величиной gamma, близкой к единице. При плотностях тока j>=q107-108 A/cm2 спектральная плотность шума SI возрастает с дальнейшим ростом тока быстрее, чем I2, за счет генерации током избыточных дефектов. При p<p0 в широком температурном диапазоне зависимость проводимости sigma от температуры хорошо описывается известным законом sigma~exp[-(T0/T)1/2]. Относительная спектральная плотность шума SI/I2 на много порядков превышает соответствующее значение для квазиметаллической структуры. Спектральная плотность шума SI приблизительно пропорциональна квадрату тока только при очень малых токах, а затем резко возрастает с дальнейшим ростом тока. В Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 05-02-1774, 05-02-1772), Федеральной целевой НТП программой "Физика твердотельных наноструктур", программой Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры", программой фундаментальных исследований ОФН РАН "Новые материалы и структуры", грантом CRDF 2681. В Rensselaer Polytechnic Institute работа поддержана National Science Foundation (Project Monitor Dr. James Mink). PACS: 61.46.Df, 73.63.-b, 73.50.Td
  1. S. Rusponi, N. Weiss, T. Cren, M. Epple, H. Brune. Appl. Phys. Lett. 87, 162 514 (2005)
  2. A. Bose, S. Basu, S. Banerjee, D. Chakravorty. J. Appl. Phys. 98, 074 307 (2005)
  3. S.V. Vyshenski. Phys. Low-Dim. Structures 11/12, 9 (1994)
  4. R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett. 72, 61 (1998)
  5. V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, V.M. Kouznetsov, V.M. Busov, V.M. Mikushkin, S.Yu. Nikonov, A.V. Kolobov, S.A. Gurevich. JVST B 18, 1402 (2000)
  6. M.E. Levinshtein, A.A. Balandin, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. In: Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices / Ed. A. Balandin. American Scientific Publishers (2002)
  7. J.V. Mantese, W.W. Webb. Phys. Rev. Lett. 55, 2212 (1985)
  8. В.И. Козуб, В.М. Кожевин, Д.А. Явсин, С.А. Гуревич. Письма в ЖЭТФ 81, 287 (2005)
  9. Г.П. Жигальский. УФН 173, 466 (2003)
  10. М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП 24, 1807 (1990)
  11. P. Dutta, P.M. Horn. Rev. Mod. Phys. 53, 497 (1981)
  12. D.M. Fleetwood, J.T. Masden, N. Giordano. Phys. Rev. Lett. 50, 450 (1983)
  13. D.M. Fleetwood, N. Giordano. Phys. Rev. B 27, 667 (1983)
  14. D.M. Fleetwood, N. Giordano. Phys. Rev. B 31, 1157 (1985)
  15. I. Ov stadal. Int. J. Electronics 73, 923 (1992)
  16. Yu.M. Galperin, V.G. Karpov, V.I. Kozub. Adv. Phys. 38, 669 (1989)
  17. H. Scotfield, J.V. Mantese, W.W. Webb. Phys. Rev. B 32, 736 (1985)
  18. Sh. Hogan. Electronics noise and fluctuations in solids. Cambridge Univ. Press (1996). 353 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.