Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2006, выпуск 11 » Статья стр. 2067
<<<>>>
Влияние миграции энергии на форму линии излучения в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN
Криволапчук В.В.1, Мездрогина М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad.krivol@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.
PDF версия
Структуры с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN с неоднородностями в латеральной плоскости использовались для изучения влияния механизма миграции электронных возбуждений и захвата носителей на формирование линии излучения квантовых ям. Исследованы стационарные и времяразрешенные спектры фотолюминесценции в широком спектральном диапазоне при варьировании температуры измерения (4.2, 77, 300 K). Исследована анизотропия (поляризация) излучения в структурах InGaN/GaN с различными неоднородностями. Показана важность процессов обмена возбуждением между неоднородностями для формирования линии излучения системы квантовых ям. Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры". PACS: 78.67.De, 78.55.Cr.
  1. S. Nakamura, S.F. Chichibu. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes. Taylor \& Francis, N. Y. (2000)
  2. H. Morkoc. Nitride Semiconductors and Devices. Springer Ser. Mater. Sci. 32, Springer, Berlin (1999). Vol. 32
  3. Yung-Chen Cheng, En-Chiang Lin, Cheng-Ming Wu, C.C. Yang, Jer-Ren Yang, Adreas Rosenauer, Kung-Jen Ma, Shin-Chen Shi, L.C. Chen, Chang-Chi Pan, Jen-Inn Chyi. Appl. Phys. Lett. 84, 2506 (2004)
  4. C. Skierbiszewski, Z.R. Wasilewski, M. Siekacz, A. Feduniewicz, P. Perlin, P. Wisniewski, J. Borysiuk, I. Grzegory, M. Leszczynski, T. Suski, S. Porowski. Appl. Phys. Lett. 86, 011 114 (2005)
  5. M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, P. Bigenwald. Phys. Rev. B 58, R13371 (1998)
  6. Y.D. Jho, J.S. Yahng, E. Oh, D.S. Kim. Phys. Rev. B 66, 035 334 (2002)
  7. S. Kalliakos, P. Levebvre, T. Taliercio. Phys. Rev. B 67, 205 307 (2003)
  8. Yukio Narukawa, Yochi Kawakami, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, Shuji Nakamura. Phys. Rev. B 55, R1938 (1997)
  9. Akihiro Satake, Yasuake Masumoto, Takao Miyajima, Tsunenori Asatsuma, Fumihiko Nakamura, Masao Ikela. Phys. Rev. B 57, R2041 (1998)
  10. Jin Seo Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, A. Hangleiter. Phys. Rev. B 57, R9435 (1998)
  11. W. Chow, M. Kira, S.W. Koch. Phys. Rev. B 60, 1947 (1999)
  12. K.S. Ramaiah, Y.K. Su, S.J. Chang, C.H. Chen, F.S. Juang, H.P. Liu, I.G. Chen. Appl. Phys. Lett. 85, 401 (2004)
  13. В.Е. Кудряшов, А.Э. Юнович. ЖЭТФ 124, 1133 (2003)
  14. X.A. Cao, S.D. Arthur. Appl. Phys. Lett. 85, 3971 (2004)
  15. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ 47, 1338 (2005)
  16. F. Widmann, J. Simon, B. Daudin, G. Feuilet, J.L. Rouviere, N.T. Pelekanos, G. Fishman. Phys. Rev. B 58, R15989 (1998)
  17. S.J. Xu, Y.Y. Wang, Q. Li, X.H. Zhang, W. Liu, S.J. Chua. Appl. Phys. Lett. 86, 071 905 (2005)
  18. W. Lu, C.R. Li, Z. Zhang. Appl. Phys. Lett. 86, 041 902 (2005)
  19. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B 56, R10024 (1997)
  20. S. Permogorov, A. Reznitsky, S. Verbin, V. Lysenko. Solid Stat. Commun. 47, 5 (1983)
  21. D.G. Thomas, J.J. Hopfield, W.N. Augutyniak. Phys. Rev. 140, 202 (1965)
  22. В.М. Агранович, М.Д. Галанин. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах. Наука, М. (1978). Гл. II, 1
  23. П.П. Феофилов. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. Физматгиз (1959). Гл. IV, V
  24. Н.Д. Жевандров. ДАН СССР 83, 677 (1952)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme