Вышедшие номера
Реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика
Гладкий В.В.1, Кириков В.А.1, Иванова Е.С.1, Волк Т.Р.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: glad@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Исследована реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция, легированного La и Ce, без освещения и при освещении мощностью 0.22 mW/cm2. Измерения проницаемости проведены при одновременном воздействии на кристалл слабого переменного электрического поля частотой 1 MHz и медленно меняющегося периодического поля Eb с амплитудой в пределах ± 2.3 kV/cm. Показано, что освещение существенно увеличивает проницаемость, изменяет вид ее зависимости от величины поля Eb ликвидирует возможную униполярность кристалла, при этом значительно улучшается воспроизводимость значений проницаемости при повторных измерениях. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 05-02-17565 и частично проект N 06-02-16644). PACS: 77.84.Dy, 77.22.Ch