Вышедшие номера
Глубокие уровни собственных точечных дефектов и природа "аномального" оптического поглощения в ZnGeP2
Брудный В.Н.1, Воеводин В.Г.1, Гриняев С.Н.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Методами псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки исследованы глубокие уровни одиночных вакансий и антиструктурных дефектов в соединении ZnGeP2. Проведено сравнение с соответствующими результатами для изоэлектронного аналога GaP. Показано, что за счет понижения симметрии решетки и анизотропии химической связи в ZnGeP2 происходят значительные расщепления вырожденных в GaP глубоких уровней. В частности, расщепление уровня VP0(t2) составляет 1.58 eV. Усредненные уровни дефектов в ZnGeP2 находятся в близком соответствии с уровнями дефектов в GaP. Вычислены коэффициенты поглощения в поляризованном свете с участием нейтральных и заряженных состояний дефектов, определены оптические переходы, вызывающие пики поглощения в инфракрасной области спектра ZnGeP2. Показано, что первые пики поглощения обусловлены переходами электронов на глубокие уровни VZn-1 и VP0 из состояний валентной зоны, находящихся в глубине зоны Бриллюэна, что приводит к существенному сдвигу (~0.3 eV) этих пиков в сторону больших энергий по сравнению с энергиями залегания глубоких уровней в запрещенной зоне относительно потолка валентной зоны. На основе анализа электронной плотности проведена согласованная интерпретация экспериментальных данных по фотоиндуцированным ЭПР-спектрам в постростовых и облученных электронами кристаллах ZnGeP2. PACS: 61.72.Bb, 71.55.Ht, 81.05.Hd