Вышедшие номера
Сверхбыстрые вибронные фазовые переходы в полупроводниках под действием фемтосекундных лазерных импульсов
Емельянов В.И.1, Бабак Д.В.1
1Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет и Международный учебно-научный лазерный центр, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Произведен учет межмодового ангармонического взаимодействия в теории сверхбыстрых (t~ 10-13 s) вибронных фазовых переходов на поверхности полупроводников (Si, GaAs) под действием фемтосекундных лазерных импульсов. Получены условия плазменно-индуцированных переходов либо в состояние хаотической разупорядоченности положений атомов ("холодной жидкости"), либо в состояние с отличной от исходной кристаллической симметрией кристалла (новой кристаллической фазы). Показано, что в GaAs в случае перехода второго типа реализуется структура типа NaCl, причем этот переход обусловлен неустойчивостью ветви продольных оптических фононов. Сделаны соответствующие численные оценки для Si и GaAs.