Вышедшие номера
Диэлектрические свойства кристаллов Sn2P2S6 в зависимости от условий их получения
Майор М.М.1
1Ужгородский государственный университет, Ужгород, Украина
Поступила в редакцию: 21 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Изучено поведение диэлектрической проницаемости в окрестности фазового перехода в кристаллах Sn2P2S6 различного технологичного качества. Установлено, что в высокоомных кристаллах, в которых в результате экранирования спонтанной поляризации в полярной фазе формируется внутреннее электрическое поле, в интервале температур ~ 2 K выше Tmax наблюдается долговременная релаксация varepsilon. Эта релаксация и изменение формы максимума varepsilon'(T) при фазовом переходе связываются с влиянием внутреннего электрического поля, индуцируемого объемным пространственным зарядом, формируемым в приповерхностных областях. Установлено, что имеющиеся различия в свойствах кристаллов Sn2P2S6 обусловлены отклонением от стехиометрии, возникающим в процессе роста и синтеза кристаллов.