В ферромагнитных эпитаксиальных пленках MnAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF₂Si (111), исследованы полевые и угловые зависимости поворота плоскости поляризации при нормальном отражении света (lambda=633 nm) в поперечном магнитном поле H normal k. Показано, что поворот плоскости поляризации alpha определяется четными и нечетными по намагниченности M вкладами. Нечетный вклад связан с отклонением "легкой плоскости" магнитной анизотропии от плоскости пленки, обусловленным разориентацией плоскости поверхности Si от плоскости типа (111) и присутствием небольших областей MnAs с ориентацией (1011). Четный вклад определяется оптической анизотропией пленок, связанной с квадратичными по M добавками в тензор диэлектрической проницаемости varepsilon_ij арсенида марганца. Предложена методика разделения этих вкладов, основанная на измерении угловых зависимостей alpha во вращающемся магнитном поле.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.