Вышедшие номера
Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл
Делимова Л.1, Грехов И.1, Машовец Д.1, Шин С.2, Коо Ю.-М.2, Ким С.-П.2, Парк Я.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт передовых технологий Самсунга, Суон 440-600, Корея
Email: ladel@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Разработан метод определения плотности ловушек на интерфейсах металл/сегнетоэлектрик полностью истощенной сегнетоэлектрической пленки с двумя барьерами Шоттки. Метод основан на перезарядке ловушек, индуцированной импульсом внешнего смещения. Определен диапазон смещений и параметров структуры металл/сегнетоэлектрик/металл, для которого возможно аналитическое решение уравнения Пуассона. С помощью этого метода из измерений переходного тока определена плотность заряда ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO2/Si) конденсаторов. Величина интерфейсного заряда, оцененная из плотности ловушек, оказалась значительно меньше остаточной поляризации PZT пленки. Наблюдаемое соответствие между симметрией интерфейсных зарядов ловушек и симметрией гистерезисных петель и токов переключения указывает на объективность оценки плотности ловушек, определяемой с помощью развитого метода. Работа была поддержана Samsung Advanced Institute of Technology, программами Фундаментальных исследований Президиума РАН "Незкоразмерные квантовые структуры", РАН "Физика конденсированных сред" и грантом РФФИ-НШ N 758.2003.2. PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 73.20.At
  1. V.V. Prisedsky, V.I. Shishkovsky, V.V. Klimov. Ferroelectrics 17, 465 (1978)
  2. J. Robertson, William L. Warren, Bruce A. Tuttle, Duane Dimos, Donald M. Smyth. Appl. Phys. Lett. 63, 11, 1519 (1993)
  3. M.V. Raymond, D.M. Smyth. Integrated Ferroelectrics 4, 145 (1994)
  4. Z. Wu, M. Sayer. IEEE Proc. of the Eighth Inter. Sym. on the Application of Ferroelectrics. Greenville, SC (1992). P. 244
  5. P.F. Baude, C. Ye, D.L. Polla. Appl. Phys. Lett. 64, 20, 2670 (1994)
  6. T. Mihara, H. Watanabe. Jpn. J. Appl. Phys. 34, Part I, 10, 5664 (1995)
  7. H.-M. Chen, J.-M. Lan, J.-L. Chen, J.Y.-M. Lee. Appl. Phys. Lett. 69, 12, 1743 (1996)
  8. T. Nishida, M. Matsuoka, S. Okamura, T. Shiosaki. Jpn. J. Appl. Phys. 42, Part I, 9B, 5947 (2003)
  9. L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets, I. Titkov, I. Grekhov. Proc. 10th EMF. Cambridge, U.K. J. Conf. Abs. 8, 113 (2003)
  10. Л.С. Берман, И.Е. Титков. ФТП 38, 6, 710 (2004)
  11. L. Delimova, I. Grekhov, D. Mashovets, S. Shin, J.-M. Koo, S.-P. Kim, Y. Park. Proc of MRS2004 Fall Meeting. Boston 830, 183 (2004)
  12. S.L. Miller, R.D. Nasby, J.R. Schwank, M.S. Rodgers, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys. 68, 12, 6463 (1990)
  13. Yukio Watanabe. Phys. Rev. B 57, R5563 (1998-II)
  14. И.Г. Ланг, Ю.А. Фирсов. ФТТ 5, 10, 2799 (1963)
  15. S.M. Sze, D.J. Coleman, jr, A. Loya. Sol. Stat. Electron. 14, 12-C, 1209 (1971)
  16. J.F. Scott. Jpn. J. Appl. Phys. 38, Part 1, 4B, 2272 (1999)
  17. J.G. Simmons, L.S. Wei. Sol. Stat. Electron. 17, 13, 117 (1974)
  18. С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ 39, 11, 1905 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.