Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл
Делимова Л.1, Грехов И.1, Машовец Д.1, Шин С.2, Коо Ю.-М.2, Ким С.-П.2, Парк Я.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт передовых технологий Самсунга, Суон 440-600, Корея
2Институт передовых технологий Самсунга, Суон 440-600, Корея
Email: ladel@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.
Разработан метод определения плотности ловушек на интерфейсах металл/сегнетоэлектрик полностью истощенной сегнетоэлектрической пленки с двумя барьерами Шоттки. Метод основан на перезарядке ловушек, индуцированной импульсом внешнего смещения. Определен диапазон смещений и параметров структуры металл/сегнетоэлектрик/металл, для которого возможно аналитическое решение уравнения Пуассона. С помощью этого метода из измерений переходного тока определена плотность заряда ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах Pt(Ir)/PZT/Ir(Ti/SiO2/Si) конденсаторов. Величина интерфейсного заряда, оцененная из плотности ловушек, оказалась значительно меньше остаточной поляризации PZT пленки. Наблюдаемое соответствие между симметрией интерфейсных зарядов ловушек и симметрией гистерезисных петель и токов переключения указывает на объективность оценки плотности ловушек, определяемой с помощью развитого метода. Работа была поддержана Samsung Advanced Institute of Technology, программами Фундаментальных исследований Президиума РАН "Незкоразмерные квантовые структуры", РАН "Физика конденсированных сред" и грантом РФФИ-НШ N 758.2003.2. PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 73.20.At
- V.V. Prisedsky, V.I. Shishkovsky, V.V. Klimov. Ferroelectrics 17, 465 (1978)
- J. Robertson, William L. Warren, Bruce A. Tuttle, Duane Dimos, Donald M. Smyth. Appl. Phys. Lett. 63, 11, 1519 (1993)
- M.V. Raymond, D.M. Smyth. Integrated Ferroelectrics 4, 145 (1994)
- Z. Wu, M. Sayer. IEEE Proc. of the Eighth Inter. Sym. on the Application of Ferroelectrics. Greenville, SC (1992). P. 244
- P.F. Baude, C. Ye, D.L. Polla. Appl. Phys. Lett. 64, 20, 2670 (1994)
- T. Mihara, H. Watanabe. Jpn. J. Appl. Phys. 34, Part I, 10, 5664 (1995)
- H.-M. Chen, J.-M. Lan, J.-L. Chen, J.Y.-M. Lee. Appl. Phys. Lett. 69, 12, 1743 (1996)
- T. Nishida, M. Matsuoka, S. Okamura, T. Shiosaki. Jpn. J. Appl. Phys. 42, Part I, 9B, 5947 (2003)
- L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets, I. Titkov, I. Grekhov. Proc. 10th EMF. Cambridge, U.K. J. Conf. Abs. 8, 113 (2003)
- Л.С. Берман, И.Е. Титков. ФТП 38, 6, 710 (2004)
- L. Delimova, I. Grekhov, D. Mashovets, S. Shin, J.-M. Koo, S.-P. Kim, Y. Park. Proc of MRS2004 Fall Meeting. Boston 830, 183 (2004)
- S.L. Miller, R.D. Nasby, J.R. Schwank, M.S. Rodgers, P.V. Dressendorfer. J. Appl. Phys. 68, 12, 6463 (1990)
- Yukio Watanabe. Phys. Rev. B 57, R5563 (1998-II)
- И.Г. Ланг, Ю.А. Фирсов. ФТТ 5, 10, 2799 (1963)
- S.M. Sze, D.J. Coleman, jr, A. Loya. Sol. Stat. Electron. 14, 12-C, 1209 (1971)
- J.F. Scott. Jpn. J. Appl. Phys. 38, Part 1, 4B, 2272 (1999)
- J.G. Simmons, L.S. Wei. Sol. Stat. Electron. 17, 13, 117 (1974)
- С.Д. Ганичев, И.Н. Яссиевич, В. Преттл. ФТТ 39, 11, 1905 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
