Вышедшие номера
Влияние механических напряжений на диэлектрический отклик тонких сегнетоэлектрических пленок PZT
Лалетин Р.А.1, Бурханов А.И.1, Жога Л.В.1, Шильников А.В.1, Сигов А.С.2, Воротилов К.А.2
1Волгоградский архитектурно-строительный университет, Волгоград, Россия
2Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
Email: postmaster@vgasa.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Представлены результаты исследования влияния механических напряжений на диэлектрические свойства тонкой сегнетоэлектрической пленки PZT. К образцу прикладывалась внешняя нагрузка G, приводящая к росту остаточного напряжения растяжения вдоль одной из осей пленки. Определено, что при малых и средних электрических полях рост напряжения sigma способствует увеличению диэлектрической проницаемости varepsilon' образца. Дальнейшее увеличение напряженности измерительного поля ведет к обратному эффекту --- наблюдается уменьшение varepsilon' с возрастанием G. Наблюдаемые эффекты объясняются особенностями поведения доменной структуры пленки в полях внутренних напряжений. Работа выполнена при поддержке гранта "Ведущие научные школы" (НШ-1514.2003.2). PACS: 77.22.-d, 77.55.+f, 77.84.Dy, 68.60.Bs
  1. А.Ю. Емельянов. ФТТ 43, 2, 316 (2001)
  2. A.L. Roytburd, S.P. Alpay, L.A. Bendersky, V. Nagarajan, R. Ramesh. J. Appl. Phys. 89, 1, 553 (2001)
  3. И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Н.Г. Хосина, В.П. Афанасьев. Письма в ЖТФ 30, 6, 25 (2004)
  4. Youngsung Kim, Wangkyu Lim, Jaichan Lee. Integrated Ferroelectrics 37, 285 (2001)
  5. Л.И. Соловьева, И.Е. Обвинцева, М.И. Яновская, К.А. Воротилов, В.А. Васильев. Неорган. материалы 32, 7, 866 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.