Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Равновесные конфигурации частичных дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетеросистемах
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: gutkin@pgpt.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Проведен теоретический анализ энергетических характеристик ортогональных рядов частичных дислокаций несоответствия с V-образными дефектами упаковки в тонкопленочных гетероэпитаксиальных системах. Показано, что их появления следует ожидать только в очень тонких эпитаксиальных пленках наноскопической толщины и при больших значениях несоответствия, превышающих некоторую предельную величину. В этих условиях частичные дислокации несоответствия, связанные с V-образными дефектами упаковки, оказываются типичными элементами дефектной структуры нанослойных гетеросистем. При меньших несоответствиях и больших толщинах пленки следует ожидать образования полных дислокаций несоответствия.
- Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Наук. думка, Киев (1983). 304 с
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. Металлургия, М. (1985). 160 с
- W.D. Nix. Metall. Trans. A20, 11, 2217 (1989)
- S.C. Jain, J.R. Willis, R. Bullough. Adv. Phys. 39, 2, 127 (1990)
- S.C. Jain, W. Hayes. Semicond. Sci. Technol. 6, 7, 547 (1991)
- E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Rep. 7, 1, 87 (1991)
- N. Burle, B. Pichaud, N. Guelton, R.G. Saint-Jacques. Phys. Stat. Sol. (a) 149, 1, 123 (1996)
- B.C. De Cooman, C.B. Carter. Acta Met. 37, 10, 2765 (1989)
- B.C. De Cooman, C.B. Carter, Kam Toi Chan, J.R. Shealy. Acta Met. 37, 10, 2779 (1989)
- J. Zou, D.J.H. Cockayne. Appl. Phys. Lett. 69, 8, 1083 (1996)
- M. Loubradou, R. Bonnet, A. Vila, P. Ruterana. Mater. Sci. Forum. 207--209, 1, 285 (1996)
- M. Tamura. Appl. Phys. A63, 2, 359 (1996)
- J.W. Matthews. J. Vacuum Sci. Technol. 12, 1, 126 (1975)
- В.И. Владимиров, М.Ю. Гуткин, А.Е. Романов. В сб.: Физические аспекты прогнозирования разрушения и деформирования гетерогенных материалов / Под ред. А.М. Лексовского. Изд-во ФТИ, Л. (1987). С. 76
- В.И. Владимиров, М.Ю. Гуткин, А.Е. Романов. Поверхность. Физика, химия, механика, 6, 46 (1988)
- M.Yu. Gutkin, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. Mater. Sci. Eng. A164, 1--2, 433 (1993)
- J.R. Willis, S.C. Jain, R. Bullough. Phil. Mag. A62, 1, 115 (1990)
- A. Rocket, C.J. Kiely. Phys. Rev. B44, 3, 1154 (1991)
- A. Atkinson, S.C. Jain. Thin Solid Films 222, 1--2, 161 (1992)
- A. Atkinson, S.C. Jain. J. Appl. Phys. 72, 6, 2242 (1992)
- T.J. Gosling, S.C. Jain, J.R. Willis, A. Atkinson, R. Bullough. Phil. Mag. A66, 1, 119 (1992)
- S.C. Jain, T.J. Gosling, J.R. Willis, R. Bullough, P. Balk. Solid. State Electron. 35, 8, 1073 (1992)
- S.C. Jain, T.J. Gosling, J.R. Willis, D.H.J. Totterdell, R. Bullough. Phil. Mag. A65, 5, 1151 (1992)
- T.J. Gosling, R. Bullough, S.C. Jain, J.R. Willis. J. Appl. Phys. 73, 12, 8267 (1993)
- U. Jain, S.C. Jain, J. Nijs, J.R. Willis, R. Bullough, R.P. Mertens, R. Van Oversraeten. Solid State Electron. 36, 3, 331 (1993)
- T.J. Gosling, J.R. Willis. Phil. Mag. A69, 1, 65 (1994)
- F. Bailly, M. Barbe, G. Cohen-Solal. J. Cryst. Growth 153, 1, 115 (1995)
- А.К. Гутаковский, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин. Кристаллография 25, 4, 806 (1980)
- Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 600 с
- Дефекты в кристаллах полупроводников. Мир, М. (1969). 376 с
- J. Zou, B.F. Usher, D.J.H. Cockayne, R. Glaisher. J. Electron. Maters. 20, 10, 855 (1991)
- D. Cherns, M.J. Stowell. Thin Solid Film. 29, 1, 107 (1975)
- D. Cherns, M.J. Stowell. Thin Solid Film. 37, 2, 249 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
