Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры и степени покрытия на взаимодействие самария с поверхностью кремния Si(111)
Крачино Т.В.1, Кузьмин М.В.1, Логинов М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Изучено взаимодействие атомов Sm с поверхностью Si(111). Исследования проводились методами дифракции медленных электронов, электронной Оже-спектроскопии и контактной разности потенциалов в широкой области температур кремния (от комнатной до 1140 K), при которых самарий наносился на поверхность образцов. Интервал покрытий охватывал значения от 0 до 55 монослоев. Показано, что форма низкоэнергетического Оже-спектра самария зависит от степени покрытия, а ее изменение коррелирует с изменением валентности атомов Sm. Установлено, что при осаждении самария на кремний при комнатной температуре упорядоченные структуры не образуются и что на начальных этапах этого процесса происходит частичное перемешивание атомов металла и полупроводника. Когда самарий наносится на подогретый кремний (900 и 1140 K), то вначале образуется адсорбированная пленка (переходный слой), структура которой определяется степенью покрытия и температурой, а затем на переходном слое начинают расти трехмерные кристаллиты силицидов. Их форма зависит от температуры подложки. Этой зависимостью обусловлена связь между температурой и покрытием, при котором происходит коалесценция кристаллитов.
  1. М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев, Т.В. Крачино. ФТТ 37, 4, 1030 (1995)
  2. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 2, 256 (1997)
  3. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 9, 1672 (1997)
  4. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 40, 2, 371 (1998)
  5. F.P. Netzer. J. Phys.: Condens. Matter 7, 6, 991 (1995)
  6. C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, M. Gothelid, M. Hammar, C. Tornevik, U.O. Karlsson. Phys. Rev. B48, 15, 11 014 (1993)
  7. O. Sakho, M. Sacchi, F. Sirotti, G. Rossi. Phys. Rev. B47, 3797 (1993)
  8. C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, U.O. Karlsson. Surf. Sci. 293, 254 (1993)
  9. С.Е. Ефимовский, М.В. Логинов, Н.В. Мамро, М.А. Митцев. Письма в ЖТФ 13, 16 1013 (1987)
  10. G.K. Wertheim, G. Crecelius. Phys. Rev. Lett. 40, 12, 813 (1978)
  11. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces. Springer, Berlin (1993). 366 p
  12. G. Rossi. Surf. Sci. Rep. 7, 1/2, 1 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.