Исследование спектров ЭПР доноров в кристаллах 6H SiC, с концентрацией нескомпенсированных доноров (N_D-N_A) от 2· 10¹⁸ до 1· 10¹⁶ cm^-3 в температурном интервале от 4.2 до 160 K на частотах 9 до 140 GHz показало, что образцам 6H SiC n-типа присущи два донорных состояния в запрещенной зоне: одно, связанное с азотом в трех неэквивалентных позициях решетки с энергиями ионизации 150 и 80 meV, и второе, связанное со структурным дефектом, имеющим более глубокий уровень залегания в запрещенной зоне, чем азот. Обнаружено отклонение хода температурных зависимостей интенсивностей линий ЭПР-спектров доноров от закона Кюри. Наблюдаемые пики интенсивностей линий спекторов ЭПР доноров связаны с последовательным перераспеределением донорных электронов между уровнями доноров при изменении температуры. Из температурных зависимостей интенсивностей линий спектров ЭПР для образцов с низкой концентрацией доноров определена величина долин-орбитального расщепления для азота в кубических позициях решетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.