Вышедшие номера
Электронный парамагнитный резонанс дефектов с метастабильными свойствами в кристалле GaN
Баранов П.Г.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1, Храмцов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: baranov@tesla.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

В кристаллах GaN методом электронного парамагнитного резонанса обнаружены дефекты, проявляющие метастабильные свойства. Наблюдались спектры ЭПР двух центров (ii1a и ii1b) с аксиальной симметрией вдоль гексагональной оси кристалла, имеющих резкоанизотропные g-факторы. С повышением температуры анизотропия спектров уменьшается и изменяется форма линий. Спектры ii1a и ii1b центров исчезают при температурах 25 и 50 K соответственно. Последующее охлаждение образцов не приводит к восстановлению сигналов ЭПР, т. е. наблюдаются явления, присущие дефектам с метастабильными состояниями. Для восстановления сигналов ЭПР необходимо произвести нагревание до комнатной температуры с соблюдением ряда специфических условий. Обсуждается возможная микроструктура обнаруженных дефектов.
  1. H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994)
  2. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Seno, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992)
  3. Yu.A. Vodakov, M.I. Karklina, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Inorganich. Mater. 16, 537 (1980)
  4. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, M.E. Boiko, P.G. Baranov. J. Cryst. Growth 183, 10 (1998)
  5. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. Techn. 14, 729 (1979)
  6. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, D.T. Saidbekov. Phys. Stat. Sol. (a) 51, 209 (1979)
  7. C. Wetzel, D. Volm, B.K. Meyer, K. Pressel, S. Nilsson, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Appl. Phys. Lett. 65, 1033 (1994)
  8. W.E. Carlos, J.A. Freitas, M. Asif Khan, D.T. Olson, J.N. Kuznia. Phys. Rev. B48, 17 878 (1993)
  9. K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki, H. Amano. Mat. Sci. Forum 143--147, 93 (1994)
  10. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Semicond. Sci. Technol. 11, 1843 (1996)
  11. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 101, 611 (1997)
  12. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155, Ch. 12, 985 (1997)
  13. G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum 38--41, 39 (1989)
  14. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Mat. Sci. Forum 258--263, 1167 (1997)
  15. R. Heitz, A. Hoffmann, I. Broser. Phys. Rev. B48, 8672 (1993)
  16. R. Heitz, P. Maxim. L. Eckey, P. Thurian, A. Hoffmann, I. Broser, K. Pressel, B.K. Meyer. Phys. Rev. B55, 4382 (1997)
  17. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 100, 371 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.