Издателям
Вышедшие номера
Электронный парамагнитный резонанс дефектов с метастабильными свойствами в кристалле GaN
Баранов П.Г.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1, Храмцов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: baranov@tesla.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

В кристаллах GaN методом электронного парамагнитного резонанса обнаружены дефекты, проявляющие метастабильные свойства. Наблюдались спектры ЭПР двух центров (ii1a и ii1b) с аксиальной симметрией вдоль гексагональной оси кристалла, имеющих резкоанизотропные g-факторы. С повышением температуры анизотропия спектров уменьшается и изменяется форма линий. Спектры ii1a и ii1b центров исчезают при температурах 25 и 50 K соответственно. Последующее охлаждение образцов не приводит к восстановлению сигналов ЭПР, т. е. наблюдаются явления, присущие дефектам с метастабильными состояниями. Для восстановления сигналов ЭПР необходимо произвести нагревание до комнатной температуры с соблюдением ряда специфических условий. Обсуждается возможная микроструктура обнаруженных дефектов.
  • H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994)
  • S. Nakamura, N. Iwasa, M. Seno, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992)
  • Yu.A. Vodakov, M.I. Karklina, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Inorganich. Mater. 16, 537 (1980)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, M.E. Boiko, P.G. Baranov. J. Cryst. Growth 183, 10 (1998)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. Techn. 14, 729 (1979)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, D.T. Saidbekov. Phys. Stat. Sol. (a) 51, 209 (1979)
  • C. Wetzel, D. Volm, B.K. Meyer, K. Pressel, S. Nilsson, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Appl. Phys. Lett. 65, 1033 (1994)
  • W.E. Carlos, J.A. Freitas, M. Asif Khan, D.T. Olson, J.N. Kuznia. Phys. Rev. B48, 17 878 (1993)
  • K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki, H. Amano. Mat. Sci. Forum 143--147, 93 (1994)
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Semicond. Sci. Technol. 11, 1843 (1996)
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 101, 611 (1997)
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155, Ch. 12, 985 (1997)
  • G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum 38--41, 39 (1989)
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Mat. Sci. Forum 258--263, 1167 (1997)
  • R. Heitz, A. Hoffmann, I. Broser. Phys. Rev. B48, 8672 (1993)
  • R. Heitz, P. Maxim. L. Eckey, P. Thurian, A. Hoffmann, I. Broser, K. Pressel, B.K. Meyer. Phys. Rev. B55, 4382 (1997)
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 100, 371 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.