В приближении туннельного гамильтониана получено и проанализировано общее выражение для резонансного вклада в туннельный ток. Рассмотрены два типа резонансных туннельных структур: структуры со случайным распределением примесей и двухбарьерные структуры, в которых появление резонансного уровня связано с размерным квантованием. Обсуждается влияние температуры на вольт-амперные характеристики туннельных структур. Для экспериментов по неупругой туннельной спектроскопии изучается влияние профиля потенциального барьера на форму линии d²I/dV². Обсуждаются возможные экспериментальные ситуации, в которых неупругая составляющая туннельного тока оказывается сравнимой с упругой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.