Неупругое резонансное туннелирование
Брагинский Л.С.1,2, Баскин Э.М.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
В приближении туннельного гамильтониана получено и проанализировано общее выражение для резонансного вклада в туннельный ток. Рассмотрены два типа резонансных туннельных структур: структуры со случайным распределением примесей и двухбарьерные структуры, в которых появление резонансного уровня связано с размерным квантованием. Обсуждается влияние температуры на вольт-амперные характеристики туннельных структур. Для экспериментов по неупругой туннельной спектроскопии изучается влияние профиля потенциального барьера на форму линии d2I/dV2. Обсуждаются возможные экспериментальные ситуации, в которых неупругая составляющая туннельного тока оказывается сравнимой с упругой.
- Л.И. Глазман, Р.И. Шехтер. ЖЭТФ 94, 292 (1988)
- Л.С. Брагинский, Э.М. Баскин. ФТТ, в печати
- А.В. Чаплик, М.В. Энтин. ЖЭТФ 67, 208 (1974)
- Fukuyama, T. Waho, T. Mizuni. J. Appl. Phys. 79, 1801 (1996)
- В.Ф. Елесин, Д.В. Мельников, А.И. Подливаев. ФТП 30, 4, 620 (1996)
- А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, К.О. Постников, И.М. Субботин, Ж.И. Хорват. ФТП 21, 11, 1944 (1987)
- U. Lunz et al. J. Appl. Phys. 80, 6329 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
