Вышедшие номера
Применение синхротронного излучения для исследования механизма увеличения выхода ионов щелочных металлов при электронно-стимулированной десорбции
Агеев В.Н.1, Потехина Н.Д.1, Пронин И.И.1, Соловьев С.М.1, Вялых Д.В.2, Молодцов С.Л.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики твердого тела Дрезденского технического университета, Дрезден, Германия
3Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: Soloviev@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.

Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней с использованием синхротронного излучения (hnu=140 eV) применена для изучения изменения зарядового состояния ионов Si+ в пленках кремния, осажденных на поверхность грани W(100), после термического отжига подложки. Исследования проводились с целью проверки механизма резкого увеличения выхода ионов Na+ при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из слоя натрия, адсорбированного на поверхноcти Si/W(100), после ее выскотемпературного отжига. Изучена эволюция спектров W4f7/2 и Si2p и спектров валентной зоны при двух степенях покрытия кремнием (1 и 3 ML) грани W(100) в температурном интервале 300<T<2200 K. Показано, что отжиг 1 ML Si на W(100) приводит к образованию ковалентной связи W--Si, что может ослабить связь Si--Na и привести к увеличению равновесного расстояния X0, а следовательно, и к росту выхода ЭСД ионов Na+. Изменение фотоэлектронных спектров при отжиге 3 ML Si отличается от результатов отжига 1 ML направлением переноса заряда, что согласуется с противоположным воздействием отжига 3 ML Si/W на выход ионов Na+ при ЭСД. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-17523) и Российско-германской лаборатории в центре BESSY II. PACS: 68.43.-h, 68.43.Rs
  1. В.Н. Агеев, А.М. Магомедов, Б.В. Якшинский. ФТТ 33, 1, 158 (1991)
  2. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. ЖТФ 74, 10, 1 (2004)
  3. J.C. Fuggle, N.Martensson. J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 21, 1, 275 (1980).
  4. J.F. van der Veen, F.J. Himpsel, D.E. Eastman. Solid State Commun. 40, 57 (1981)
  5. В.Н. Агеев, Е.Ю. Афанасьева, Н.Р. Галль, С.Н. Михайлов, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Поверхность 5, 7 (1987)
  6. S. Doniach, M. Sunjic. J. Phys. C 34, 285 (1970)
  7. J.F. van der Veen, F.J. Himpsel, D.E. Eastman. Phys. Rev. B 25, 12, 7388 (1982)
  8. D. Singh, H. Krakauer. Phys. Rev. B 37, 3999 (1988)
  9. В.Н. Агеев, М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, С.В. Хорунжий. Поверхность 5, 57 (1988)
  10. М. Робертс, Ч. Макки. Химия поверхности раздела металл--газ. Мир, М. (1981)
  11. H.M. Kramer, E. Bauer. Surf. Sci. 93, 407 (1980)
  12. H.M. Kramer, E. Bauer. Surf. Sci. 92, 53 (1980)
  13. J.H. Weaver, V.L. Moruzzi, F.A. Schmidt. Phys. Rev. B 23, 6, 2916 (1981)
  14. S.C. Hong, C.L. Fu, A.J. Freeman. Phys. Rev. B 37, 8811 (1988)
  15. F.J. Himpsel, P. Heimann, T.-C. Chiang, D.E. Eastman. Phys. Rev. Lett. 45, 13, 1112 (1980)
  16. В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов. Наук. думка, Киев (1981)
  17. E. Shustorovich. Adv. Catalys. 37, 101 (1990)
  18. В.Н. Агеев, О.П. Бурмистрова, А.М. Магомедов, Б.В. Якшинский. ФТТ 32, 3, 801 (1990)
  19. V.N. Ageev, O.P. Burmistrova, B.V. Yakshinskij. Surf. Sci. 194, 101 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.