Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2006, выпуск 4 » Статья стр. 737
<<<>>>
Исследование основных закономерностей формирования массивов нитевидных нанокристаллов GaAs методом магнетронного осаждения
Сошников И.П.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Дубровский В.Г.1,2, Веретеха А.В.4, Гладышев А.Г.1, Устинов В.М.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2006 г.
PDF версия
Показана возможность получения массивов нитевидных нанокристаллов (ННК) GaAs с плотностью до 109 cm-2 и характерными размерами от 300 до 10 000 nm в высоту и в поперечнике от 200 до 10 nm и менее у вершины. Характерная высота ННК изменяется пропорционально эффективной толщине осаждаемого материала и обратно пропорционально поперечному размеру вершины. Изучено влияние скорости осаждения, температуры и кристаллографической ориентации подложки. На основе анализа полученных зависимостей размеров делается вывод о диффузионном механизме формирования ННК. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований. PACS: 61.46.Hk, 81.05.Ea, 81.07.Bc, 81.15.Cd
  1. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. Наука, М. (1977). 304 с
  2. R.B. Marcus, T.S. Ravi, T. Gmitter, K. Chin, D. Liu, W.J. Orvis, D.R. Ciarlo, C.E. Hunt, J. Trujillo. Appl. Phys. Lett. 56, 236 (1990)
  3. Y. Cui, C.M. Lieber. Science 291, 851 (2000)
  4. C. Lieber. Nature 414, 142 (2001)
  5. Q. Wan, Q.H. Li, Y.J. Chen, T.H. Wang, X.L. He, J.P. Li, C.L. Lin. Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004)
  6. Y.-K. Choi, J.S. Lee, J. Zhu, G.A. Somorjai, L.P. Lee, J. Bokor. J. Vac. Sci. \& Technol. B 21, 2951 (2003)
  7. Zhiyong Fan, Jia G. Lua. Appl. Phys. Lett. 86, 123 510 (2005)
  8. B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Appl. Phys. Lett. 79, 20, 3335 (2001)
  9. И.П. Сошников, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов. Письма в ЖТФ 30, 18, 28 (2004)
  10. А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП 38, 10, 1256 (2004)
  11. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ 47, 12 (2005)
  12. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B 71, 205 325 (2005)
  13. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП 39, 5, 587 (2005)
  14. Е.И. Гиваргизов. Кристаллография 20, 4, 812 (1975)
  15. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett. 4, 7, 89 (1964)
  16. K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi, K. Ogawa, T. Katsuyama, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys. 74, 5, 3162 (1993)
  17. С.М. Поляков, Е.Н. Лаверко, В.М. Марахонов. Кристаллография 15, 3, 598 (1970)
  18. Xiangfeng Duan, Jianfang Wang, Charles M. Lieber. Appl. Phys. Lett. 76, 1116 (2000)
  19. И.П. Сошников. Письма в ЖТФ 31, 15, 29 (2005)
  20. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. E 70, 031 604 (2004)
  21. В.Т. Барченко, Ю.А. Быстров, Е.А. Колгин. Ионно-плазменные технологии в электронном производстве. Энергоатомиздат, СПб (2001). 332 с
  22. M.W. Tompson. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 18, 411 (1987). [М.В. Томпсон. В кн.: Фундаментальные и прикладные аспектры распыления твердых / Под ред. Е.С. Машковой. Мир, М. (1989). С. 186.]
  23. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Series / Ed. W. Martienssen. Group III: Condensed Matter. 42A3 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme